IR的HEXFET功率场效应管irf3205选用先进的工艺技能制作，具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性，加上快速的转化速率，和以坚固耐用著称的HEXFET规划，使得irf3205成为极端高效牢靠、使用规模超广的器材。
基本参数
电压 Vgs @ Rds on 丈量：10V
电压， Vds 典型值：55V
电流， Id 接连：110A
Qg Typ： 97.3 nC
FET极性： N型沟道
最大额外参数
热阻特性
电气特性
1.重复等级：脉宽小于最大值。结点温度为。（看 图1）。
2.开始时 TJ=25℃，L=138uH RG=25Ω，IAS=62A.（看图2）。
3.ISD≤62A，di/dt≤207A/us，VDD≤（BR）DSS，TJ≤℃。
4.脉宽≤400us;duty cycle≤2%. ○
5.恰当的接连电流取决于答应结点温度。包装极限温度为75A。
6.在器材破坏和表现出运转外出点的操作极限的典型值。
7.这个恰当的极限值为TJ=175℃。 *当裱装在1″平方PCB（FR-4 or G-1- Material ）。 被引荐的封装和焊接技能触及使用技能笔记 #AN-994。
图1最大有用的热敏阻抗，结点到器材
图2最大的雪崩能量Vs 漏极电流
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