许多人对MOS场效应管的作业原理、根本结构和检测办法不是很了解，特别关于电工来说，假如有一个直观的概念可能在日常作业中能节约许多时刻，而小编今日就搜集了整个对MOS场效应管的具体介绍，期望对各位电工朋友有所协助。
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金属氧化物组成半导体的场效应晶体管），归于绝缘栅型。特色：金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因而具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一同。
MOS场效应管的根本结构和作业原理
MOS场效应三极管分为：增强型（又有N沟道、P沟道之分）及耗尽型（分有N沟道、P沟道）。N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见图1。其间：电极 D（Drain） 称为漏极，适当双极型三极管的集电极；
电极 G（Gate） 称为栅极，适当于的基极；
电极 S（Source）称为源极，适当于发射极。
1、N沟道增强型MOSFET
（1）结构
依据图1，N沟道增强型MOSFET根本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺分散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表明 （2）作业原理
① 栅源电压VGS的操控效果
当VGS＝0 V时，漏源之间适当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间构成电流。
当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS（th）时，经过栅极和衬底间的电容效果，将接近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排挤，呈现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以构成沟道，将漏极和源极交流，所以依然不足以构成漏极电流ID。
进一步添加VGS，当VGS＞VGS（th）时（ VGS（th） 称为敞开电压），因为此刻的栅极电压现已比较强，在接近栅极下方的P型半导体表层中集合较多的电子，能够构成沟道，将漏极和源极交流。假如此刻加有漏源电压，就能够构成漏极电流ID。在栅极下方构成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层。跟着VGS的持续添加，ID将不断添加。在VGS＝0V时ID＝0，只有当VGS＞VGS（th）后才会呈现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。 VGS对漏极电流的操控联系可用iD＝f（vGS）|VDS＝const这一曲线描绘，称为搬运特性曲线，见图2。
搬运特性曲线的斜率gm的巨细反映了栅源电压对漏极电流的操控效果。 gm 的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。
跨导的界说式如下：
gm＝△ID/△VGS|VDS=const （单位mS） （1）
②漏源电压VDS对漏极电流ID的操控效果
当VGS＞VGS（th），且固定为某一值时，来剖析漏源电压VDS对漏极电流ID的影响。VDS的不同改变对沟道的影响如图33所示。依据此图能够有如下联系
VDS＝VDG＋VGS＝ －VGD＋VGS
VGD＝VGS－VDS
当VDS为0或较小时，适当VGD＞VGS（th），沟道散布如图3 （a），此刻VDS 根本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线散布。在紧靠漏极处，沟道到达敞开的程度以上，漏源之间有电流经过。
当VDS添加到使VGD＝VGS（th）时，沟道如图3（b）所示。这适当于VDS添加使漏极处沟道缩减到刚刚敞开的状况，称为预夹断，此刻的漏极电流ID根本饱满。当VDS添加到VGD＜VGS（th）时，沟道如图3 （c）所示。此刻预夹断区域加长，伸向S极。 VDS添加的部分根本降落在随之加长的夹断沟道上， ID根本趋于不变。
当VGS＞VGS（th），且固定为某一值时，VDS对ID的影响， 即iD＝f（VDS）|VGS＝const这一联系曲线如图4所示。这一曲线称为漏极输出特性曲线。
2、N沟道耗尽型MOSFET
N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图5（a）所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了很多的金属正离子。所以当VGS＝0时，这些正离子现已感应出反型层，构成了沟道。所以，只需有漏源电压，就有漏极电流存在。当VGS＞0时，将使ID进一步添加。VGS＜0时，跟着VGS的减小漏极电流逐步减小，直至ID＝0。对应ID＝0的VGS称为夹断电压，用符号VGS（off）表明，有时也用VP表明。N沟道耗尽型MOSFET的搬运特性曲线如图5（b）所示。
3、P沟道耗尽型MOSFET
P沟道MOSFET的作业原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同罢了。这好像双极型三极管有NPN型和PNP型相同。
MOS场效应管检测办法
