薄膜芯片技能崭露矛头
现在，LED芯片技能的开展要害在于基底资料和晶圆成长技能。基底资料除了传统的蓝宝石资料、硅(Si)、碳化硅(SiC)以外，氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)等也是当时研讨的焦点。无论是要点照明和全体照明的大功率芯片，仍是用于装修照明和一些简略辅佐照明的小功率芯片，技能进步的要害均环绕怎么研宣布更高功率、更安稳的芯片。因而，进步LED芯片的功率成为进步LED照明全体技能指标的要害。在短短数年内，凭借芯片结构、外表粗化、多量子阱结构规划等一系列技能的改进，LED在发光功率呈现重大突破，LED芯片结构的开展如图1所示。信任跟着该技能的不断老练，LED量子功率将会得到进一步的进步，LED芯片的发光功率也会随之攀升。
图1 LED芯片结构的开展进程
薄膜芯片技能(Thinfilm)是出产超亮LED芯片的要害技能，能够削减侧向的出光丢失，经过底部反射面能够使得超越97%的光从正面输出(图2)，不只大大进步LED发光功率，也简易透镜的规划。
图2 一般LED和薄技技能LED的正面出光率比较
三大封装技能介绍
高功率LED封装技能可区分为单颗芯片、多芯片整合及芯片板上封装三大类，以下将进行阐明。
发光功率、散热、可靠性为单颗芯片封装优势
单颗芯片封装是封装技能中使用最多的，其首要的技能瓶颈在于芯片的良率、色温的操控及荧光粉的涂敷技能，而欧司朗光电半导体的Golden DRAGON Plus LED，选用硅胶封装，其封装外型及内部扼要结构如图3所示。该LED具有170度的光束角，能理想地合作二次光学透镜或反光杯，其硅胶透镜有着耐高温及低衰减的特性。共同的封装规划进一步进步LED的散热功能，使产品的热阻操控在每瓦6.5℃左右，有助于降低热阻。别的，荧光粉的特定制造使LED的色温掩盖冷白、中性白和暖白规模。单芯片封装的优势在于光效高、易于散热、易配光及可靠性。
图3 欧司朗光电半导体Golden DRAGON Plus LED的封装外型及内部结构
多芯片整合封装于小体积内可达高光通量
多芯片整合组件是现在大功率LED组件最常见的另一种封装方式，可区分为小功率和大功率芯片整合组件两类，前者以六颗低功率芯片整合的1瓦大功率LED组件最典型，此类组件的优势在于本钱较低，是现在不少大功率组件的首要制造途径。大功率芯片结合以OSTAR SMT系列为代表，其封装外型如图4所示，经过优化规划，可使终究产品的热阻操控在每瓦3.1℃，一起能够驱动高达15瓦的高功率。该封装的优势在于在很小的空间内到达很高的光通量。
图4 欧司朗光电半导体OSTAR SMT LED的封装外型
COB有用改进散热缺点
COB技能沿袭传统半导体技能，即直接将LED芯片固定在印刷电路板(PCB)上。使用该技能，现在已有厚度仅达0.3毫米以下的LED。因为LED芯片直接与PCB板触摸，添加导热面积，散热问题得以改进。此封装方式多以小功率芯片为主。
