LED芯片制造流程
跟着技能的开展，LED的功率有了非常大的前进。在不久的未来LED会替代现有的照明灯泡。近几年人们制造LED芯片进程中首先在衬底上制造氮化鎵（GaN）基的外延片(外延片)，外延片所需的资料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气H2或氬气Ar等惰性气体作为载体之后，依照工艺的要求就可以逐渐把外延片做好。接下来是对LED-PN结的两个电极进行加工，并对LED毛片进行减薄，划片。然后对毛片进行测验和分选，就可以得到所需的LED芯片。具体的工艺做法，不作具体的阐明。
下面简略介绍一下LED芯片出产流程图：
总的来说，LED制造流程分为两大部分：
首先在衬低上制造氮化鎵（GaN）基的外延片，这个进程主要是在金属有机化学气相堆积外延片炉(MOCVD)中完结的。准备好制造GaN基外延片所需的资料源和各种高纯的气体之后，依照工艺的要求就可以逐渐把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等资料。
MOCVD是运用气相反响物（前驱物）及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底外表进行反响，将所需的产品堆积在衬底外表。经过操控温度、压力、反响物浓度和品种份额，然后操控镀膜成分、晶持平质量。MOCVD外延炉是制造LED外延片最常用的设备。
然后是对LED PN结的两个电极进行加工，电极加工也是制造LED芯片的要害工序，包含清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然后对LED毛片进行划片、测验和分选，就可以得到所需的LED芯片。假如芯片清洗不行乾净，蒸镀体系不正常，会导致蒸镀出来的金属层（指蚀刻后的电极）会有掉落，金属层外观变色，金泡等反常。
蒸镀进程中有时需用绷簧夹固定芯片，因而会发作夹痕（在目检有必要挑除）。黄光作业内容包含烘烤、上光阻、照相曝光、显影等，若显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。
芯片在前段工艺中，各项工艺如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都有必要运用镊子及花篮、载具等，因而会有芯片电极刮伤景象发作。
