图1是升压开关转化器电路，它有一个众所周知的问题：假如将升压转化器IC1的输入拉低来关断升压转化器，外接电感L1和正向偏置肖特基二极管D1就能够让负载持续引出电流。关于电池供电的设备来说，这是一个沉重的负载（300 mA）。这种无用的直流电流途径可能会很快耗尽电池电量。添加一个N沟道MOSFET Q1和一个100 k电阻器R1就能够在断电时断开无用的电流途径，然后处理这个问题。这样的电路适合由微控制器处理电源办理问题的电池供电系统使用。
在输入端施加一个逻辑低电平可一起关断开关转化器MAX756，并关断MOSFET，因而经过去除负载的对地衔接而阻断负载电流。当信号被去掉今后，100 kΩ的上拉电阻器将MOSFET栅极电位拉高，使MOSFET导通。跟着接地的从头衔接，负载又能够从作业的升压转化电路中取得电流。
为了在大负载电流下取得最佳成果， 要为Q1挑选有恰当低的导通电阻的逻辑低电平MOSFET。MOSFET的漏源击穿电压也应能接受至少两倍的来自升压转化器的最大输出电压。必要时，能够将两支以上MOSFET并联，以下降MOSFET的有用导通电阻。
