非晶硅光电池

非晶硅光电池
 
a－Si（非晶硅）光电池一般选用高频辉光放电办法使硅烷气体分化堆积而成。因为外解堆积温度低，可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上堆积约1μm厚的薄膜，易于大面积化（05rn×l.0m），本钱较低，多选用p in结构。为进步功率和改进稳定性，有时还制成三层P in等多层叠层式结构，或是刺进一些过渡层。其商品化产值接连增加，年产能力45MW／a，10MW生产线已投入生产，全球商场用量每月在1千万片左右，居薄膜电池首位。
    开展集成型a－Si光电池组件，激光切开的运用有用面积达90％以上，小面积转化功率进步到 14.6％，大面积大量生产的为8－10％，叠层结构的最高功率为21％。研制意向是改进薄膜特性，准确规划光电池结构和操控各层厚度，改进各层之间界面状况，以求得高功率和高稳定性。