多晶硅光电池
P－Si（多晶硅，包含微品）光电池没有光致阑珊效应，资料质量有所下降时也不会导致光电池受影响，是世界上正掀起的前沿性研讨抢手。在单晶硅衬底上用液相外延制备的p－Si光电池转化功率为15.3％，经减薄衬底，加强陷光等加工，可进步到23.7%，用CVD法制备的转化功率约为12.6—l7.3%。选用廉价衬底的p—si薄膜成长办法有PECVD和热丝法，或对a—si：H资料膜进行后退火，到达低温固相晶化，可别离制出功率9.8%和9.2%的无退化电池。微晶硅薄膜成长与a—si工艺相容，光电功能和安稳性很高，研讨遭到很大注重，但功率仅为7.7％大面积低温p—si膜与—si组成叠层电池结构，是进步比a—S光电池安稳性和转化功率的重要途径，可更充分利用太阳光谱，理论核算标明其功率可在28％以上，将使硅基薄膜光电池功能发生突破性开展。铜烟硒光电池 CIS（铜锁硒）薄膜光电池己成为世界先伏界研讨开发的抢手课题，它具有转化功率高（已到达17.7％），功能安稳，制作成本低的特色。CIS光电池一般是在玻璃或其它廉价衬底上别离堆积多层膜而构成的，厚度可做到2－3μrn，吸收层CIS膜对电池功能起着决定性效果。
现已开宣布反响共蒸法和硒化法（溅射、蒸腾、电堆积等）两大类多种制备办法，其它外层一般选用真空蒸腾或溅射成膜。阻止其开展的原风是工艺重复性差，高效电池成品率低，资料组分较杂乱，缺少操控薄膜成长的分析仪器。CIS光电池正遭到产业界注重，一些闻名公司意识到它在未来动力商场中的远景和所在位置，活跃扩人开发规划，着手组成中试线及制作厂。
