第一种:
能够运用如下公式预算：
Ig=Qg/Ton
其间：
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
td(on)：MOS导通延迟时刻，从有驶入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。
Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）
第二种：（第一种的变形）
密勒效应时刻（开关时刻）Ton/off=Qgd/Ig；
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；
Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；
第三种：
以IR的IRF640为例，看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后简直水平再上升。水平那段是管子注册（密勒效应）假定你期望在0.2us内使管子注册，估量总时刻（先上升然后水平再上升）为0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A，当然，这是峰值，仅在管子注册和关短的各0.2us里有电流，其他时刻简直没有电流，平均值很小，但假如驱动芯片不能输出这个峰值，管子的注册就会变慢。
