通用型与达林顿型光耦合器区别
4.1办法之一
在通用型光耦合器中，接收器是一只硅光电半导体管，因而在B-E之间只需一个硅PN结。达林顿型否则，它由复合管构成，两个硅PN结串联成复合管的发射结。依据上述不同，很简单将通用型与达林顿型光耦合器区别开来。具体办法是，将万用表拨至R&TImes;100档，黑表笔接B极，红表笔接E极，选用读取电压法求出发射结正向电压VBE。若VBE=0.55～0.7V，便是达林顿型光耦合器。
实例：用500型万用表的R&TImes;100档别离丈量4N35、4N30型光耦合器的VBE，丈量数据及定论同时列入表2中。
表2测验成果
类型 RBE（Ω） n`（格） VBE（V） 计算公式 测验定论
4N35 850 23 0.69 VBE=0.03n（V） 通用型
4N30 4.3k 40.5 1.215 VBE=0.03n`（V） 达林顿型
4.2办法之二
通用型与达林顿型光耦合器的首要区别是接收管的电流放大系数不同。前者的hFE为几十倍至几百倍，后者可达数千倍，二者相差1～2个数量级。因而，只需精确丈量出hFE值，即可区别。在丈量时应注意事项：
（1）由于达林顿型光耦合器的hFE值很高，所以表针两次偏转格数十分挨近。精确读出n1、n2的格数是本办法关键所在，否则将引起较大的差错。此外，欧姆零点亦应事前调准。
（2）若4N30中的发射管损坏，但接收管未发现毛病，则可替代超β管运用。同理，假使4N35中的接收管完好无缺，也可作一般硅NPN晶体管运用，完成废物利用。
（3）关于无基极引线的通用型及达林顿型光耦合器，本办法不再适用。主张选用测电流传输比CTR的办法加以区别。
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