下图显现一个运用晶体管耦合器的一般线路。假如LED电流IF运行至输入端，集电器电流IC将运行至输出端。该电流传输比称为转化功率（CTR： 电流传输比）经过（IC/IF）&TImes; 100（%）表明。与晶体管的hFE相同，转化功率是晶体管耦合器一个重要的参数。
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改善光耦电路 削减电流耗费 推迟LED老化
改善光耦电路，能够提高零电压丈量的精度。
有不同潜路作业的电路中，用光耦树立电流阻隔看上去好像很简略。光耦从阻隔电路中获取能量，因为LED老化，开关相对慢且不安稳。若不用光耦，可运用如Analog Devices公司的ADUM12xx或Texas Instruments 公司的ISO72x代替。本规划计划论述了一个简略改善光耦电路的办法。
图1显现了两个通用的0V同步沟通规划。经过光耦负载电阻的削减，开关变得更慢更不确认，但削减了光耦的LED电流，测验削减阻隔电路中的能量耗费。为完成更快更敏捷的开关，将不得不献身能量功率；但是，因为能量功率和沟通电压巨细的反向联系，这个献身的优点是有限的。
光耦的LED在近似全沟通循环过程中超乎寻常的简直接连发光，导致功耗功率低，且使光耦老化得相对较快：一个明显的缺陷是过原点差错过大且简直不可控；电路的灵敏度规模依托光耦的参数。图1的规划不是一个抱负计划。就功率而言，依托光耦的电流转化率和沟通幅值，它们能输出5到100 mA。
图2的规划克服了能耗过大、不确认开关和LED老化的问题。它十分适用于宽沟通规模的使用。与图1的电路比较，图2的LED只在过原点邻近发光，且由前置充电电容接纳能量，所以经过10到100的因数削减均匀电流耗费。规划也供给更快、更确认和更敏锐的开关。更甚者，期望推迟LED老化。图1中电阻R1和R2耗费的热功率不小于1.5W，所以在同一电路板区域用0.1W设备替换外部器材（图2）。
电路的首要部分由幅值检波器D1、电容C1和Schmitt触发器Q1/Q2组成，操控流过光耦的LED电流。D2和D3安稳Q2的基电压，从而其集电极电流驱动光耦。电容C1经过R1、R2和D1充电。
简直一切沟通周期中，除了过原点邻近，Q1为开，Q2为关。然后，挨近过原点时，
Schmitt触发器Q1和Q2的状况改动，Q2以安稳的电流卸放电容C1，因为由Q2、D2、D3、R5和R6组成的电路按I=(2&TImes;VD–VBE2)/R6安稳电流，在这里VD为D2或D3上的电压降，VBE2为Q2的基射极电压。
一些使用不需要Schmitt触发器固有的磁滞性；图3显现了这样的一个规划。它也显现了怎样处理不需要的D1最小回转电流。但是，电路更适用于纯同步和非晶闸管操控。因为LED电流的安稳性，这些规划使输入沟通电压的规模扩展，其有利于多规范沟通供电规划；有机会在LED没有过载风险的情况下设置LED电流；削减光耦不安稳的影响。这样规划的另一个优势为其固有更安全的特性。在其终端短路的情况下，光耦在阻隔与非阻隔侧之间传递的电流比图1电路中少10到100倍。光耦也有优势。因为低占空比，能够不丢失功率而恣意削减光耦负载电阻R8的值。这个削减将使过原点差错下降。
