关于这两个电子器材在许多电路中都会遇到，比方场效应管能够作为电磁炉中的开关振动管、电瓶车充电器电路中作为开关管运用，场效应管尤其在电脑主板顶用的比较多；关于晶闸管咱们俗称可控硅，这个器材我第一次触摸是在学习晶闸管变流技能中运用过，跟着后边的学习我发现晶闸管用的也十分多，比方在一些调速电扇的电路中就能够见到可控硅、在智能调光电路中也是用的可控硅和在洗衣机电路中都能够用到可控硅，下面咱们来谈谈这两个器材有何差异吧。
第一点是场效应管与晶闸管的操控方法不同
1、场效应管
跟着电子技能不断进步，场效应管的品种有好几种，咱们最常见的有结型场效应管（FET管）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET管）这两类。这两类场效应管都有一个一同的特色，它们都是运用半导体内的电场效应来操控场效应管电流巨细的，下面我用金属氧化物半导体场效应管，也便是咱们俗称的MOS管来阐明这个问题。比方下图的N沟道场效应管，当栅极与源极间的Ugs电压大于必定值时，并且Uds大于零，这时Rds的等效电阻十分小，就能够有较大的电流由漏极流向源极，它们之间就好像用一根导线连起来相同。
当栅极G与源极S间的Ugs电压小到必定值的时分，或许Ugs电压等于零的时分，那么漏极D和源极S之间的等效电阻就十分大，就像断开的导线相同无论怎么是没有电流经过的。由此可见场效应管是经过在栅极和源极之间建立了必定的电压后才操控了漏极与源极之间的接通的。
2、晶闸管
下面咱们再说一说这个晶闸管，它是一个功率半导体器材，是在二极管的基础上发展起来的，可用于整流半导体器材。下面咱们说说怎么操控它的通断，要使晶闸管导通要满意两个条件，第一个是要给晶闸管的操控极G加一个触发信号，也便是在门极G和晶闸管的阴极K之间加一个足够大的正向电流与电压，一同呢晶闸管的阳极要高于阴极，这样阳极A与阴极K之间的等效电阻就十分小了，就像用导线连接起来相同。
当要关断晶闸管时，只需咱们把阳极A与阴极K之间的电流减小到必定值的时分，这个晶闸管的阳极A与阴极K之间就像断开相同，无法有电流经过。或许咱们把晶闸管的阳极A的电压低于阴极K的电压也能够关断这个晶闸管。
经过上面的剖析咱们能够知道，场效应管与晶闸管的操控方法是不同的，场效应管是电压操控其通断的半导体器材，咱们称它是压控型器材；晶闸管的操控方法是由必定的电流值来触发晶闸管的导通，咱们俗称它是流控型器材并且它是一个半控型半导体器材，也便是说晶闸管的门控极G只能操控晶闸管的导通而不能操控晶闸管的关断。
第二点是场效应管与晶闸管的输入电阻不同
场效应管的直流等效输入电阻十分高，其阻值能够到达10九次方欧姆，关于MOSFET管来说最高能够到达10十五次方欧姆，鉴于这样的特色来说由场效应管组成的电路功耗都比较小、它的稳定性和抗干扰才能都很强，所以现在许多集成芯片中都选用的是场效应管组成的集成电路，有的作业电压能够低到2V以下。
而对与晶闸管组成的电路来说在输入直流等效电阻方面它比较低、这样就决议了它的功耗十分大，抗干扰才能远不如场效应管，这也就阐明晰晶闸管组成的电路它的稳定性也不如场效应管。
第三点是场效应管与晶闸管的效果不同
咱们从它们的组成结构能够看出，关于场效应管来说它能够扩大信号，因而能够用在扩大电路中作为扩大器来用，也能够作为高速电子开关操控负载的通断，比方开关电源中的场效应管就起到这个功用，一同运用场效应管还能够完成调速操控，比方PWN波的调制输出、令外在调光电路、调温电路等都能够用到。
从晶闸管的作业进程来看它不能用来扩大电路的信号，因而它是不能够作为器扩大器来运用的。一般晶闸管用在整流电路和操控大负载电路中。当它作为电子开关运用时，其作业频率也没有场效应管高，一般只能用在低速操控的场合。
第四点是场效应管与晶闸管的集成度不同
从场效应管的结构能够看出它的结构相对来说比较简略，尤其在制作工艺上要比晶闸管简略许多，再加上其功耗小，噪声低一同热稳定性也很好，抗辐射才能也强。关于集许多长处于一身的它在大规模和超大规模的集成电路中都会被用到，关于晶闸管来说就无法做到这一点。
第五点是场效应管与晶闸管的“短板”不相同
场效应管在平常贮存保管的时分对静电要求十分高，因为MOS管的输入阻抗十分高，在MOS管不运用的时分必定要将栅极G、源极S和漏极D这三个电极短接在一同，这样能够避免场效应管因静电场的电压较高使场效应管损坏。所以场效应管的缺点是对静电的要求比较严厉。因而咱们在焊接场效应管时所运用的电烙铁要有外接地线，这样能够屏蔽掉沟通电场，避免场效应管遭到损坏，当我焊接场效应管时，特别是MOSFET管时，我都是先把烙铁的电源断掉，然后用烙铁的余热去焊接场效应管。而关于晶闸管来说，它的“软肋”是过电流的才能比较差，在组成电路时要规划许多的维护环节，运用相对比较费事。
