晶体管的主要参数有电流扩大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。
电流扩大系数
电流扩大系数也称电流扩大倍数，用来表明晶体管扩大才能。
依据晶体管作业状况的不同，电流扩大系数又分为直流电流扩大系数和沟通电流扩大系数。
1．直流电流扩大系数 直流电流扩大系数也称静态电流扩大系数或直流扩大倍数，是指在静态无改变信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表明。
2．沟通电流扩大系数 沟通电流扩大系数也称动态电流扩大系数或沟通扩大倍数，是指在沟通状况下，晶体管集电极电流改变量△IC与基极电流改变量△IB的比值，一般用hfe或β表明。
hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较挨近，在高频时有一些差异。
耗散功率
耗散功率也称集电极最大答应耗散功率PCM，是指晶体管参数改变不超越规则答应值时的最大集电极耗散功率。
耗散功率与晶体管的最高答应结温文集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实践功耗不答应超越PCM值，否则会形成晶体管因过载而损坏。
通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。
