半导体三极管的作业原理
PNP 型半导体三极管和NPN 型半导体三极管的根本作业原理彻底相同，下面以NPN 型半导体三极管为例来阐明其内部的电流传输进程，从而介绍它的作业原理。半导体三极管常用的衔接电路如图15-3 (a) 所示。半导体三极管内部的电流传输进程如图15-3 (b) 所示。半导体三极管中的电流传输可分为三个阶段。
1 发射区向基区发射电子
电源接通后，发射结为正向衔接。在正向电场效果下，发射区的大都载流子(电子)的分散运动加强。因而，发射区的电子很简单在外电场的效果下跳过发射结进入基区，构成电子流IEN(留意电流的方向与电子运动的方向相反)。当然，基区的大都载流子(空穴)也会在外电场的效果下流向发射区，构成空穴电流IEP。但因为基区的杂质浓度很低，与从发射区来的电子流比较， IEP能够忽略不计，所以发射极电流为:
2. 电子在基区中的分散与复合
从发射区分散到基区的电子抵达基区后，因为基区靠发射区的一侧电子浓度较大，靠集电区一侧电子浓度较小.所以电子持续向集电区分散。在分散进程中，电子有可能与基区的空六相遇而复合，基极电源、EB不断供给空穴，这就构成了基极电流IBN 。因为基区很薄，而空穴浓度低，电子与空穴复合的时机很少，大部分电子持续向集电区分散。此外，半导体三极管作业时，集电结为反向衔接，在反向电场效果下，基区与集电区之间少量载流子的漂移运动加强c 因基区载流子很少.电子更少，故漂移运动主要是集电区的空穴流向基区。漂移运动构成的电流ICBO的数值很小，并且与外加电场的巨细联系不大，它被称为集电极反向饱和电流因而，基极电流为
3. 集电极电流的构成
因为集电结加的是反向电场，通过基区持续向集电区方向分散的电子是逆电场方向的，所以遭到拉力，加快流向集电区.构成电子流ICN 。假如考虑集电极饱和电流ICBO的影响，集电极电流应为:
从半导体三极管外电路看，流入管子的电流有必要等于流出的电流，所以
从半导体三极管电流传输进程中能够看出，集电极电流IC很大，而基极电流IB很小。别的，因为三极管自身的结构已定，所以IC和IB在相当大的一个范围内总存在一个固定的比例联系，即
其间β表明IC与IB的联系.称为共发射极的直流扩大系数，β大于1 ，一般为20 -200 。
因为IC和IB存在必定的比例联系，并且IE=lC+IB， 所以半导体三极管起着一种电流分配器的效果，即把发射极电流IE 按必定的分配联系分红IC和IB。IC远大于IB 。因存在这种分配联系，所以只要使IB略有添加， IC就会添加许多，这就起到了扩大效果。
