三星近来宣告，他们开端在已经在韩国平泽工厂的第二条出产线批量出产 16GB LPDDR5 闪存，这是业界第一款用于移动设备的 16GB LPDDR5 闪存产品。据悉，这些芯片运用三星第三代 10nm 级 EUV 技能（1z）制作的。
作为全球闪存商场的领导者，三星宣称这款全新的 LPDDR5 DRAM 芯片具有业界最高的移动存储容量和功能。据悉，它的数据传输速率可到达 6400Mbps，比上一代 12GB LPDDR5 DRAM 芯片快 16 ％，封装后能够在一秒钟传输 51.2GB 数据。
此外，因为采用了 1z 工艺，单芯片比前代产品薄 30 ％，10 片就能凑成 16GB 容量，而上一代则需求 12 片。晋级的工艺可让 5G 手机的潜力再次加大，为更大的电池，更密布的天线布局留下空间，而制作可折叠屏幕的手机产品也将变得更简单。
三星还方案推出用于轿车使用的 LPDDR5 DRAM 芯片，为轿车供给更广大的温度规模和可靠性规范。据悉，出产 10 纳米 EUV LPDDR5 DRAM 芯片的工厂面积逾越 12.9 万平方米，这也是三星迄今为止最大的半导体出产线。
三星闪存产品与技能履行副总裁表明，根据 1z 的 16GB LPDDR5 闪存将行业规范提升到一个新的门槛，克服了高阶 DRAM 产品的开展妨碍。 咱们引领着整个闪存商场，并会持续扩展咱们的高档 DRAM 产品阵型，并逾越客户的需求。”
三星预估，第一批搭载 16GB LPDDR5 封装内存的旗舰产品将在 2021 年批量上市，有望在下一年的三星 Galaxy S21 上就能见到。
