Nandflash芯片以其高性价比，大存储容量在电子产品中广泛使用。可是，在此量大质优的使用领域，许多客户却痛苦于批量质量问题：专用东西无法满意量产，量产东西却或许呈现极大的不良品率，那么终究要怎么处理呢?
其实根本原因在于现在大部分用户并不是很了解Nandflash烧录的复杂性，他们常选用很直接的办法，即运用一颗能正常运转的NandFlash芯片作为母片，在衔接编程器之后，点击烧录软件上的“读取”按钮，把数据从芯片里边完好读取出来，然后再找几颗空芯片，把数据重复写进去。本认为可到达量产的意图，但实践上出产出来的产品却达不到质量的要求，往往会呈现批量的产品反常开机或发动的情况。
一、原因剖析
原因终究在哪里呢，在剖析之前，那就先得了解一下Nandflash根本的工艺特性：
首要，咱们来看NandFlash存储结构，它由多个Block组成，每一个Block又由多个Page组成，每个Page又包括主区(Main
Area)和备用区(Spare Area)两个域。其次NandFlash是有坏块的，由于NandFlash的工艺不能保证Nand的Memory
Array在其生命周期中坚持功能的牢靠，因此在Nand的出产中及运用过程中会产生坏块的。
1. 原因一：坏块的影响
由于坏块影响了数据的寄存地址，用户就不能按常用办法那样，把母片的数据悉数读取出来，然后再把数据原本来本拷贝到其他芯片上了，也就产生了传统拷贝机无法量产Nandflash的问题!
已然NandFlash有坏块是无法防止的问题，那就要想办法避开那些坏块;最简略、最有用、最常用的办法便是：越过!运用“越过坏块”，咱们很好地处理了NandFlash的坏块问题，本来写到坏块的数据，咱们也安全搬运到下一个块里边!
2. 原因二：地址改变
越过是一种常用而有用的办法，可是实践上，根本问题还仍然存在，仔细的人会发现，数据寄存的地址也产生了改变。
实践使用中，许多用户会把多个文件数据一起存储到NandFlash上(比方uboot、uImage、Logo、rootfs等烧录文件)，并给每个文件在NandFlash存储单元中划分了必定巨细的存储空间区域，指定了每个文件存储的开始物理地址块;假如某个区域呈现了坏块，为了避开它，必然需要把数据安全往下一块搬运，而引起的成果便是后续烧录文件的开始物理地址也跟着产生了偏移，这将会导致主控MCU无法经过固定的地址，精确、完好地获取到每个文件的数据，终究形成的成果便是产品反常发动。
二、处理主张-分区烧录
分区烧录，用户提早设置好每个文件烧录的开始块地址，不管坏块呈现在哪个空间区域，都可以保证每个文件开始块地址都不会产生偏移改变，数据也将依据客户预设计划寄存在NandFlash存储区域内，主控MCU也能精确完好读取到每个文件的数据，那么产品就正常跑起来了。
三、处理计划参阅
广州致远电子有限公司的P800系列编程器支撑按分区烧录(并可支撑多种分区格局)，可依照每个用户计划需求，设置每个文件的开始块地址和烧录块长度，即可到达高效率烧录，又可进步芯片烧录良品率!
一起，P800系列搭载独立操作系统，还可满意工厂全脱机，一键批量的烧录要求。
