关于一向运用功率MOSFET器材规划产品的功率体系工程师来说，运用更高效的增强型氮化镓晶体管并不困难。尽管两种器材的根本作业特性十分类似，假如想发挥这种新代代器材的最大优势，咱们还需考虑它的几个特性以完成高效规划。
留心这些电学特性
每个半导体的功能都有其极限值，器材的数据手册里一般清楚地列明这些极限值，以辅导规划工程师怎么创立各种规划而不会于质量或可靠性方面产生任何潜在问题。增强型氮化镓晶体管如宜普公司的
eGaN®FET与商用功率MOSFET器材具有相同的最高额定值，其最大可容栅极电压在外。在栅极与源极之间施加的最大可容栅极电压(VGS)，其在正方向的最大值为6 V， 而在反方向的最大值为5 V。与功率MOSFET 器材比较，这些值相对地较低，规划师需求保证他们所规划的地图不会使栅极电压超出这些极限值而构成过冲的现象。
一般来说因为场效应晶体管在大约4 V时可彻底得以增强，以上的要求并不会构成很大的问题。咱们写了多篇技能文章(Power Electronics杂志：eGaN FET与功率硅器材比拼文章: Drivers, Layout; Impact of Parasitics on Performance 及Optimal PCB Layout)来协助规划工程师怎么避免受这个约束影响，但最简略的解决方案是运用已推出商场、维护场效应晶体管栅极的商用栅极驱动器集成电路，一起使用十分快速的开关时间。
图1：EPC2010 器材的归一化阈值电压与温度的联系– 可看到该器材在一般的作业温度范围内只要3% 的改变。
导通电阻RDS(ON))是指氮化镓场效应晶体管在栅极至源极之间施加5 V 电压的电阻值。导通电阻值将随所施加的栅极电压及器材的温度而改变。与硅技能比较，氮化镓技能的另一个优势是它的导通电阻随温度而添加的幅
度较小，如图2所示。关于硅器材来说，从25 ℃至100 ℃时，其RDS(ON))的增幅超越70%，而氮化镓场效应晶体管的增幅只要约50%。假设在25 ℃时这两个技能具有相同的初始导通电阻值，与硅器材比较，氮化镓晶体管在典型的100 ℃结温时的导通电阻值将大约低15%。
