首要需求了解NAND FLASH的结构。如图：
以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例，这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page)，64个页(page)组成1个块(block)，4096个块(block)构成整个Flash存储器;因为每个扇区的容量是512 字节(bytes)，整个Flash容量为4224M Bit(相当于528M字节)，去掉备用区域用于寄存ECC数据校验16M(虚线部分)，便是这个片子的容量512M字节。其他类型的Flash也是相同由扇区组成页、由页组成块、块组成整个存储设备，仅仅扇区、页、块的数量多少有差异罢了。
在Flash的出产制作过程中，因为出产工艺的缺点，很简单在Flash中发生不能运用的坏区域，假如在U盘中要运用这样的Flash，就必须运用所谓的“量产东西”;U盘量产东西其实便是一种集坏区域扫描和Flash办理体系装载于一身的东西。惯例U盘主控的扫描是以块为单位，扫描即往每一个块里写入数据，然后将读出的数据与写入的数据比较，假如数据有误则把该块标为“坏块”。扫描完成后便是将Flash办理体系装载到Flash里边，Flash办理体系就会运用扫描发生的坏块表对整个Flash进行读写办理，这样就完成了整个量产动作，U盘也就能够正常运用了。所以U盘显现的容量与实践所用的Flash容量差异来源于不能存储信息的坏块和Flash办理体系的占用块。坏块越多，做出的U盘容量越低;而Flash办理体系占用的块是没有办法防止，就像咱们的电脑装置操作体系要占用硬盘空间相同。
当然这儿还涉及到一个ECC纠错才能的问题，假定对这个Flash进行扫描的界说的ECC纠错才能为1bit，只要数据呈现超越1bit过错的块才会被标记为坏块。这个时分需求区分块纠错和扇区纠错的不同，假定任何一个块里有任何一个扇区(512bytes)存在超出1bit的过错，惯例主控在扫描的时分就会判别整个块为坏区域，这样将丢失整个块128Kbytes的容量;可是当运用扇区纠错的主控时，相同1bit ECC纠错，他会直接去判别这个块里哪些是超出1bit过错的扇区，然后将其除掉，丢失的仅仅每个真实有过错扇区的512bytes容量，然后保留了其他没有过错的扇区，这样Flash的运用率能够得到极大的进步。
