在全球第二大DRAM芯片制造商的亲近重视之下，2D或许说平面NAND仍将在3D技能遍及之前持续控制存储范畴。作为佐证，美光(Micron)公司有意将这套已呈现两年的NAND规划计划面向16纳米工艺、乃至更进一步。
咱们采访了美光公司NAND处理计划部分副总裁Glen Hawk，他扼要介绍了计划的改变状况。作为存储事务的直接负责人，他首要谈到美光在闪存事务方面的两大基本原则。
榜首，他以为美光是一家闪存代工厂商，而“闪存制造商身份使其在SSD范畴具有先天优势。”从本质上讲，他们的供给链条更具确定性——许多存储企业因为缺少对下一代芯片的了解而惨遭商场筛选——一起能凭仗本身优势将闪存规划、控制器功用以及固件计划进行整合。第二，美光一直专心于企业级商场。
下面咱们将采访中提出的问题进行归类，并以要言不烦的方法概括他的答复。
记者: 美光公司关于闪存软件的情绪是怎样的?
Glen Hawk: 软件显然是今后才需求考虑的目标。咱们的最佳战略在于同客户严密协作，运用对方的专业知识处理软件难题。现在软件关于咱们的企业发展影响还不显着。
记者: 美光公司关于NVMe的情绪又是怎样?
Glen Hawk: 这才是咱们需求重视的内容。现在商场上现已呈现一些来自竞争对手的规范，咱们将依据客户的需求供给相应支撑。
记者: 美光公司怎么看3bit每单元(简称TLC)闪存?
Glen Hawk: 咱们具有一套强壮的TLC芯片组合。依据咱们的战略，每种光刻技能都具有与之对应的SLC、MLC与TLC产品。咱们会依据不同商场周期推出不同的存储产品。
现在闪存商场处于求过于供的状况，咱们在尽力为期望运用SLC及MLC产品的客户供给服务。不过咱们的出产才能有限，仅够牵强供给客户需求的SLC及MLC SSD。有鉴于此，咱们在很长一段时刻内都不太可能推出TLC SSD产品。
记者: 请再聊聊128Gbit产品。
Glen Hawk: 咱们现在现已开端大批量出产20纳米128Gbit产品。咱们还在测验经过16纳米工艺出产128Gbit产品——容量本身并无差异，但体积更小。美光现在正在调整SSD开发与光刻工艺，并计划在2014年前半年推出16纳米SSD。
两年前，咱们对根底平面单元架构做出了改动、测验选用高K绝缘栅介质与金属栅极结构。这两大计划的引进使咱们成功迈向规模化出产，也将成为16纳米光刻技能走向实际的重要根底。
记者: 美光会不会再次改造平面光刻工艺或许挑选3D计划?
Glen Hawk: 现在咱们在一起测验这两条道路。3D技能本钱拐点的呈现时刻取决于咱们能将多少闪存单元互相堆叠。
(注：作为全球榜首大NAND供给商，三星公司刚刚发布了其量产型笔直堆叠3D V-NAND。现在的计划选用三层128Gbit结构，最终将发展为二十四层，调配Through-Silicon Vias(简称TSV)互连技能。三星并未泄漏该芯片运用的详细光刻技能类型。)
记者: 什么样的客户乐意将PCIe闪存与服务器相结合，服务器制造商仍是其它企业?
Glen Hawk: 我想服务器制造商应该是PCIe闪存卡整合趋势的首要推动者，例如惠普、戴尔以及IBM等服务企业级客户的厂商。不过现在的商场正在发生改变，咱们需求做很多手预备。
我以为Fusion-io公司将不可避免地将更多精力会集在软件开发范畴。不少OEM厂商也将参加进来，商场的价值链条将迎来重组。
记者: 您怎么看闪存技能范畴中的许多收买事例?
Glen Hawk: 现在，美光公司在张狂的收买浪潮中一直保持镇定。咱们一路走来，依托本身资源从无到有建立起自己的技能实力。当然，咱们也是商场中的一员，并且曾经在英国收买过Virtensys公司。不过整体而言，当时的收买目标估值过高，这反映出收买方与被收买方之间巨大的实力距离。
此外，收买方的买卖事例很可能被视为向客户寻衅的行为。
记者: 当下状况好像现已很清楚，美光有才能运用本身16纳米技能创立简单更大的产品。16纳米芯片必定会在体积上小于20纳米芯片，这将协助美光及其OEM同伴顺畅打造出在容量上超过当时产品的闪存设备。
举例来说，美光的M500客户机SSD运用20纳米NAND，其容量在120GB到960GB之间。咱们估量16纳米工艺的介入会为其带来双倍容量，即240GB到1.92TB之间。
咱们行将迎来闪存设备与阵列容量大幅提高的新时代，而这全部都要归功于由20纳米向16纳米演化的技能改善。
