最近遇到一个大大的问题，其实曾经都一向有问题，可是我没有去深究过！主要是我自己想来弄点新东西，计划用J-link烧写ARM9的处理器，假如能够将j-link的强壮调试功用也移到arm9上，那将是一件多么美好的作业啊。就带着这个问题我一向看材料，最开端我是有两块开发板的，详细点说是三块。可是我开端只用了一块的时分，我没发现什么问题。我其时便是依照他人给我的阐明书上进行操作的，也没有去了解和剖析为什么！可是最近由于有了那个计划，就发现问题了。我在一块板子上用H-JTAG能够进行烧写，在别的一块上也能够，可是都有一个共同点便是，两块板子都是arm9的（分别是S3C2410和S3C2440），相同我在实践使用中还用到了LPC2478.用J-link来调试和烧写ARM7是件很简单的作业。我想我都具有了这么多条件应该很简单就能够用j-link来烧写arm9了吧！实践上是我想错了！我遇到了这个问题好多天了，一向在弄。最终才发现是我没弄清楚流程，下面共享下我对这些处理器的发动流程和代码存储的剖析。
首要，理清几个概念。NOR flash：（概念最用我自己的言语归纳了）是前期的flash，存储量少，存储速度慢，可是履行速度快，能够在flash上履行。能够用来存储代码和作为SDRAM。NAND flash ：是用来做海量存储的，一般用来存储数据，文件体系等，烧写速度快。SDRAM ：动态存储器，用来进行数据存储，数据改写，和代码履行。可是不能存储代码。要了解SDRAM和NOR flash的差异，NOR flash是能够用来做为SDRAM，可是不是SDRAM。
咱们开端评论代码寄存的当地了，留意的是我在这里给代码加一个约束，（是固化的程序，差异开linux体系文件和bootlooder，我在这里界说bootlooder为程序而linux文件体系为数据）。代码有许多寄存的方法，一、存储在单片机的flash上，像ARM7一类的单片机（LPC2478就带有512k的flash）。二、寄存在NOR flash中，便是是SDRAM中（假如是SDRAM的芯片就无法存储了如有的开发板用的是HY57V641620 SDRAM芯片，代码是无法存储的）三、寄存在NAND flash中，一般的代码都寄存在NAND flash中在。
还需要知道的常识便是，存储器的地址映射，下面咱们看一种方法的地址映射。代码寄存在NAND flash中，用SDRAM的芯片做为动态存储的比如：如下图：
看到这个图，咱们是否发现了了解了一点点发动流程了啊？假如还有疑问让咱们再来剖析一下S3C2440的存储操控模块，实践便是存储地图。如下图所示：
解说下上图，有多种发动方法的，一种是使用NAND flash发动。一种是不必，不必的方法便是直接用SROM（S便是动态的存储空间，其实便是NOR flash）。要点介绍使用NAND flash发动的流程。
我们看到的是经过M[10]=00的方法设置发动方法为用NAND flash发动的方法，S3C2440内部有一个4K的SRAM。这个是芯片自带的。为了支撑NAND flash起动，S3C2410内建了内部的4k的SRAM缓存“Steppingstone”。当起动时，NAND flash开端的4k字节将被读入”Steppingstone”然后开端履行起动代码。一般起动代码会把NAND flash中的内容拷到SDRAM中以便履行主代码。留意boot进程是要设置成autoboot的，是经过硬件来设置的。在复位和上电发动进程都要经过这样的一个发动进程，这是开端一步的发动进程。下面便是在经过bootlooder的代码设置体系时钟和初始化寄存器等一系列的作业，在完结后经过跳转指令跳转到体系引导阶段。完结发动。最近还移植了一个最新的u-boot，支撑的东西仍是挺多的。对这个全体了解也有了一些加深。
在我了解了这么多了后，后来我就处理了那个问题，我的过错是没仔细剖析，我一向在用j-link flasher烧写SDRAM，难怪问题一向处理不了！！其实便是没有好好的去总结自己所看到的东西！做产品设计还真的是要脱了几层皮你的东西才干过关！！
