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根据TSL256x系列传感器完成光强度监测体系的规划

基于TSL256x系列传感器实现光强度监测系统的设计-TSL2560和TSL2561是TAOS公司推出的一种高速、低功耗、宽量程、可编程灵活配置的光强度数字转换芯片。该芯片可广泛应用于各类显示屏的监控,目的是在多变的光照条件下,使得显示屏提供最佳的显示亮度并尽可能降低电源功耗;还可以用于街道光照控制、安全照明等众多场合。

1 TSL256x简介

TSL2560和TSL2561是TAOS公司推出的一种高速、低功耗、宽量程、可编程灵敏装备的光强度数字转化芯片。该芯片可广泛使用于各类显现屏的监控,意图是在多变的光照条件下,使得显现屏供给最佳的显现亮度并尽可能下降电源功耗;还能够用于大街光照操控、安全照明等很多场合。该芯片的主要特点如下:

◇ 可编程设置答应的光强度上下阈值,当实践光照度超越该阈值时给出中止信号;

◇ 数字输出契合规范的SMBus(TSL2560)和I2C(TSL2561)总线协议;

◇ 模仿增益和数字输出时刻可编程操控;

◇ 1.25 mm×1.75 mm超小封装,在低功耗方法下,功耗仅为0.75 mW;

◇ 主动按捺50 Hz/60 Hz的光照动摇。

2 TSL256x的引脚功用

TSL256x有2种封装方法: 6LEAD CHIPSCALE和6LEAD TMB。封装方法不同,相应的光照度核算公式也不同。图1为这两种封装方法的引脚分布图。

依据TSL256x系列传感器完结光强度监测体系的规划

图1 TSL256x封装

各引脚的功用如下:

脚1和脚3: 别离是电源引脚和信号地。其作业电压规模是2.7~3.5V。

脚2: 器材拜访地址挑选引脚。因为该引脚电平不同,该器材有3个不同的拜访地址。拜访地址与电平的对应联系如表1所列。

表1 器材拜访地址与引脚2电平的对应联系

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脚4和脚6: I2C或SMBus总线的时钟信号线和数据线。

脚5: 中止信号输出引脚。当光强度超越用户编程设置的上或下阈值时,器材会输出一个中止信号。

3 TSL256x的内部结构和作业原理

TSL256x是第二代周围环境光强度传感器,其内部结构如图2所示。通道0和通道1是两个光敏二极管,其间通道0对可见光和红外线都灵敏,而通道1仅对红外线灵敏。积分式A/D转化器对流过光敏二极管的电流进行积分,并转化为数字量,在转化完毕后将转化成果存入芯片内部通道0和通道1各自的寄存器中。当一个积分周期完结之后,积分式A/D转化器将主动开端下一个积分转化进程。微操控器和TSL2560可经过规范的SMBus( System Management Bus) V1.1或V2.0完结,TSL2561则可经过I2C总线协议拜访。对TSL256x的操控是经过对其内部的16个寄存器的读写来完结的,其地址如表2所列。

依据TSL256x系列传感器完结光强度监测体系的规划

图2 TSL256x内部结构图

表2 TSL256x内部寄存器地址及效果

依据TSL256x系列传感器完结光强度监测体系的规划

4 TSL256x使用规划

TSL256x的拜访遵从规范的SMBus和I2C协议,这使得该芯片软硬件规划变得十分简略。这两种协议的读写时序尽管很相似,但仍存在不同之处。下面仅以TSL2561芯片为例,阐明TSL256x光强传感器的实践使用。

4.1 硬件规划

TSL2561能够经过I2C总线拜访,所以硬件接口电路十分简略。假如所选用的微操控器带有I2C总线操控器,则将该总线的时钟线和数据线直接与TSL2561的I2C总线的SCL和SDA别离相连;假如微操控器内部没有上拉电阻,则还需求再用2个上拉电阻接到总线上。假如微操控器不带I2C总线操控器,则将TSL2561的I2C总线的SCL和SDA与一般I/O口衔接即可;但编程时需求模仿I2C总线的时序来拜访TSL2561,INT引脚接微操控器的外部中止。硬件衔接如图3所示。

依据TSL256x系列传感器完结光强度监测体系的规划

图3 微操控器与TSL2561的硬件衔接图

4.2 软件规划

微操控器能够经过I2C总线协议对TSL2561进行读写。写数据时,先发送器材地址,然后发送要写的数据。TSL2561的写操作进程如下: 先发送一组器材地址;然后写指令码,指令码是指定接下来写寄存器的地址00h~0fh和写寄存器的方法,是以字节、字或块(几个字)为单位进行写操作的;最终发送要写的数据,依据前面指令码规则写寄存器的方法,能够接连发送要写的数据,内部写寄存器会主动加1。关于I2C协议详细的读写时序,能够参阅相关材料,在此不再赘述。TSL2561的软件规划流程如图4所示。

依据TSL256x系列传感器完结光强度监测体系的规划

图4 软件规划流程

限于篇幅,在此给出对TSL2561读写操作的部分程序:

unsigned char TSL2561_write_byte( unsigned char addr, unsigned char c) {

unsigned char status=0;

status=twi_start();//开端

status=twi_writebyte(TSL2561_ADDR|TSL2561_WR);//写TSL2561地址

status=twi_writebyte(0x80|addr);//写指令

status=twi_writebyte(c);//写数据

twi_stop( );//中止

delay_ms(10);//延时10 ms

return 0;

}

unsigned char TSL2561_read_byte( unsigned char addr, unsigned char *c) {

unsigned char status=0;

status= twi_start( );//开端

status=twi_writebyte(TSL2561_ADDR|TSL2561_WR);//写TSL2561地址

status=twi_writebyte(0x80|addr);//写指令

status=twi_start( );//重新开端

status=twi_writebyte(TSL2561_ADDR|TSL2561_RD);//写TSL2561地址

status=twi_readbyte(c,TW_NACK);//写数据

twi_stop( );

delay_ms(10);

return 0;

}

当积分式A/D转化器转化完结后,能够从通道0寄存器和通道1寄存器读取相应的值CH0和CH1,可是要以Lux(流明)为单位,还要依据CH0和CH1进行核算。关于TMB封装,假定光强为E(单位为Lux),则核算公式如下:

① 0《CH1/CH0≤0.50

E=0.030 4×CH0-0.062×CH0×(CH1/CH0)1/4

② 0.50《CH1/CH0≤0.61

E=0.022 4×CH0-0.031×CH1

③ 0.61《CH1/CH0≤0.80

E=0.012 8×CH0-0.015 3×CH1

④ 0.80《CH1/CH0≤1.30

E=0.001 46×CH0-0.001 12×CH1

⑤ CH1/CH0》1.30

E=0

关于CHIPSCALE封装,核算公式能够检查相应的芯片材料。

5 定论

选用TSL256x完结光强度实时监测的体系,具有精度高、成本低、体积小等长处。芯片内部集成了积分式A/D转化器,选用数字信号输出,因而抗干扰才能比同类芯片强。该芯片在光强监测操控范畴已得到广泛使用。

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