整流二极管参数
（1）最大均匀整流电流IF：指二极管长时间作业时答应经过的最大正向均匀电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决议。使用时应留意经过二极管的均匀电流不能大于此值，并要满意散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。
（2）最高反向作业电压VR：指二极管两头答应施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流（IR）剧增，二极管的单导游电性被损坏，然后引起反向击穿。一般取反向击穿电压（VB）的一半作为（VR）。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V。
（3）最大反向电流IR：它是二极管在最高反向作业电压下答应流过的反向电流，此参数反映了二极管单导游电功能的好坏。因而这个电流值越小，标明二极管质量越好。
（4）击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧曲折点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。
（5）最高作业频率fm：它是二极管在正常状况下的最高作业频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决议，若作业频率超越fm，则二极管的单导游电功能将不能很好地表现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。还有快康复二极管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中。
（6）反向康复时间trr：指在规则的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向康复时间。
（7）零偏压电容CO：指二极管两头电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得留意的是，因为制作工艺的约束，即便同一类型的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个规模，若测验条件改动，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。
整流二极管的效果
整流二极管的效果具有显着的单导游电性。整流二极管可选用半导体锗或硅等资料制作。硅整流二极管的效果能够有用的击穿电压高，反向漏电流小，高温功能优秀。整流二极管的效果是使用PN结单导游电特性，把交流电转变成脉动直流电。整流二极管的电流较大，大多选用面触摸性料封装。那么整流二极管的效果主要有哪些呢？下面便是小编关于整流二极管的效果的详细介绍。
整流二极管的效果最为杰出的便是其正向性，整流二极管外加正向电压时，正向特性开始部分中的正向电压很小，不能有用的战胜PN结内电场的阻挠效果，当整流二极管的正向电流简直为零，这一段称为死区，不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当整流二极管正向电压大于死区电压今后，PN结内电场被有用战胜，整流二极管的正导游通，电流随电压增大而快速上升。在正常的电流规模内，导通时整流二极管端电压简直保持不变。
整流二极管的效果中的反向性，是当整流二极管外加反向电压不超越必定规模时，经过整流二极管的电流少量载流子漂移运动然后构成的反向电流。因为整流二极管的效果反向电流很小，整流二极管处于截止状况。整流二极管的反向饱和电流受温度影响。一般硅整流二极管的效果反向电流比锗整流二极管的效果小得多，小功率硅整流二极管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗整流二极管在μA数量级。当整流二极管温度升高时，半导体受热激起，少量载流子数目也会添加。
整流二极管的效果中的反向击穿，反向击穿按机理原理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种状况。整流二极管在高掺杂浓度的状况下，整流二极管因势垒区宽度很小，反向电压较大会损坏势垒区内共价键结构，使电子脱离共价键捆绑，发生电子空穴，整流二极管的效果中的另一种击穿为雪崩击穿。当整流二极管反向电压添加到较大数值时，外加电场会使电子漂移速度加速，然后使整流二极管共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，发生新的电子空穴对。
