一、开关损耗
因为开关管对错抱负型器材，其作业进程可区分为四种状况，如图1所示。“导通状况”表明开关管处于导通状况；“封闭状况”表明开关管处于封闭状况；“导通进程”是指开关管从封闭转化成导通状况；“封闭进程”指开关管从导通转化成封闭状况。一般来说，首要的能量损耗体现在“导通进程”和“封闭进程”，小部分能量体现在“导通状况”，而“封闭状况”的损耗很小简直为0，能够疏忽不计。
图1 开关管四种状况区分
实践的丈量波形图一般如图2示。
图2 开关管实践功率损耗测验
二、导通进程损耗
晶体管开关电路在转化进程中耗费的能量一般会很大，因为电路寄生信号会阻挠设备当即开关，该状况的电压与电流处于交变的状况，因而很难直接核算功耗，以往的做法，将电压与电流认为是线性的，这样能够经过求三角形的面积来大略核算损耗，但这是不行精确的。关于数字示波器来说，经过都会供给高档数学运算功用，因而能够运用下面的公式核算导通进程的损耗。
Eon表明导通进程的损耗能量
Pon表明导通进程的均匀损耗功率（有功功率）
Vds、Id别离表明瞬时电压和电流
Ts表明开关周期
t0、t1表明导通进程的开端时刻与完毕时刻
封闭进程损耗
封闭进程损耗与导通进程损耗核算办法相同，区别是积分的开端与完毕时刻不同。
Eoff表明封闭进程的损耗能量
Poff表明封闭进程的均匀损耗功率（有功功率）
Vds、Id别离表明瞬时电压和电流
Ts表明开关周期
t2、t3表明封闭进程的开端时刻与完毕时刻
三、导通损耗
导通状况下，开关管一般会流过很大的电流，但开关管的导通电阻很小，一般是毫欧等级，所以导通状况下损耗能量相对来说是比较少的，但亦不能疏忽。运用示波器丈量导通损耗，不主张运用电压乘电流的积分的来核算，因为示波器无法精确丈量导通时细小电压。举个比如，开关管一般封闭时电压为500V，导通时为100mV，假定示波器的精度为±1‰（这是个十分牛的目标），最小丈量精度为±500mV，要精确丈量100mV是不或许的，甚至有或许测出来的电压是负的（100mV-500mV）。
因为导通时的细小电压，无法精确丈量，所以运用电压乘电流的积分的办法核算的能量损耗差错会很大。相反，导通时电流是很大的，所以能丈量精确，因而能够运用电流与导通电阻来核算损耗，如下面公式：
Econd表明导通状况的损耗能量
Pcond表明导通状况的均匀损耗功率（有功功率）
Id别离表明瞬时电流
Rds(on)表明开关管的导通电阻，在开关管会给出该目标，如图3所示
Ts表明开关周期
t1、t2表明导通状况的开端时刻与完毕时刻
图3 导通电阻与电流的联系
四、开关损耗
开关损耗指的是整体的能量损耗，由导通进程损耗、封闭进程损耗、导通损耗组成，运用下面公式核算：
五、开关损耗剖析插件
高端示波器一般亦集成了开关损耗剖析插件，因为导通状况电压丈量不精确，所以导通状况的核算公式是能够修正的，首要有三种：
UI，U和I均为丈量值
I2R，I为丈量值，R为导通电阻，由用户输入Rds(on)
UceI，I为丈量值，Uce为用户输入的电压值，用于补偿电压电压测禁绝的问题。
一般主张运用I2R的公式，下图是ZDS4000 Plus的开关损耗测验图。
图4 开关损耗测验成果图
六、总结
开关损耗测验关于器材评价十分要害，经过专业的电源剖析插件，能够快速有用的对器材的功率损耗进行评价，相关于手动剖析来说，愈加简略便利。关于MOSFET来说，I2R的导通损耗核算公式是最好的挑选。
