一,FSMC简介
FSMC:灵敏的静态存储操控器
能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡衔接
STM32的FSMC接口支撑包含SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存储器
STM32 407和103是不支撑SD RAM的,429,439支撑SD RAM操作
二,FSMC驱动LCD原理
FSMC驱动外部SRAM(LCD被作为SRAM)
SRAM操控包含:
地址线(如A0~A25)
数据线(如D0~D15)
写信号(WE，即WR)
读信号(OE，即RD)
片选信号(CS)
若SRAM支撑字节操控，还有UB/LB信号。
上一节说到的TFTLCD信号,RS、D0~D15、WR、RD、CS、RST和BL等
其间真实操作LCD时用到的就只要：
数据&指令:RS
数据线:D0~D15
写信号:WR
读信号:RD
片选信号:CS
操作时序和SRAM操控相似，仅有不同是TFTLCD有RS信号，可是没有地址信号
TFTLCD经过RS信号来决议传送是数据仍是指令，能够理解为一个地址信号
将RS接到FSMC地址线A10(A0-A25随意),TFTLCD就被作为一个SRAM运用
这样TFTLCD成为只要一个地址的SRAM设备,然后完成FSMC驱动TFTLCD
三,FSMC存储块
STM32的FSMC支撑8/16/32位数据宽度，咱们运用的LCD为16位，所以设置挑选16位
FSMC的外部设备地址映像:STM32的FSMC将外部存储器划分为固定巨细为256M字节的四个存储块
如图:
FSMC分为4块,每块256M字节又被划分为4*64,即四个片选
NOR / PSRAM运用块1,共256M
NAND闪存运用块2,3,共512M
PC卡运用块4,共256M
所以咱们运用NOR PSRAM驱动TFTLCD
四,存储块1(Bank1)寄存器介绍
STM32的FSMC存储块1(Bank1)用于驱动NOR FLASH/SRAM/PSRAM
Bank1被分为4个区，每个区办理64M字节空间，每个区都有独立的寄存器对所衔接的存储器进行装备。
Bank1的256M字节空间由28根地址线(HADDR[27:0])寻址。 这儿HADDR，是内部AHB地址总线
HADDR[25:0]来自外部存储器地址FSMC_A[25:0]，而HADDR[26:27]对4个区进行寻址。
如下图所示:
阐明:
HADDR[27:26]是不行手动装备的,当挑选地点区后会主动赋值
留意:
1,当Bank1接 8位宽度存储器时：HADDR[25:0] -> FSMC_A[25:0]
2,当Bank1接16位宽度存储器时：HADDR[25:1] -> FSMC_A[24:0]
因为内部每个地址对应一个字节,外部设备16位宽,FSMC的一个地址对应两个字节
即:
0000对应FSMC_A[0]=0 (2字节)
0010对应FSMC_A[0]=1 (2字节)
0100对应FSMC_A[1]=1 (2字节)
所以对应联系需求除以2,内部右移一位对齐
此刻最低位没用,拜访最低位需求运用UB/LB
不管外部接8位/16位宽设备，FSMC_A[0]永久接在外部设备地址A[0]
五,存储块1(Bank1)形式A读写时序
STM32的FSMC存储块1支撑的异步突发拜访形式
包含形式1,形式A~D等多种时序模型，驱动SRAM一般运用形式1或形式A
咱们运用形式A驱动LCD(作为SRAM运用),形式A支撑读写时序分隔设置
上一篇说的LCD时序,咱们知道,LCD的读写耗时是不同的.写快读慢
这儿选用形式A,针对不同的速度,做不同的设置
形式A读时序:
形式A写时序:
ILI9341时序-读写凹凸电平最小持续时刻:
依据ILI9341时序读写凹凸电平最小持续时刻来装备形式A的读写时序
六,FSMC相关寄存器介绍
关于NOR FLASH/PSRAM操控器-存储块1，可经过FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx寄存器设置(其间x=1~4，对应4个区)。
经过这3个寄存器，能够设置FSMC拜访外部存储器的时序参数，拓宽了可选用的外部存储器的速度规模。
1,SRAM/NOR闪存片选操控寄存器(FSMC_BCRx)
FSMC_BCRx
EXTMOD：
扩展形式使能位，操控是否答应读写不同的时序，需设置为1
WREN：
写使能位。咱们要向TFTLCD写数据，需设置为1
MWID[1:0]：
存储器数据总线宽度。00，表明8位数据形式;01表明16位数据形式;10和11保存。
咱们的TFTLCD是16位数据线，需设置WMID[1:0]=01。
MTYP[1:0]：
存储器类型。00表明SRAM、ROM;01表明PSRAM;10表明NOR FLASH;11保存。
咱们把LCD当成SRAM用，需设置MTYP[1:0]=00。
MBKEN：
存储块使能位。需设置为1
2,SRAM/NOR闪存片选时序寄存器(FSMC_BTRx)-读时序操控
FSMC_BTRx
ACCMOD[1:0]：
拜访形式。00:形式A;01:形式B;10:形式C;11:形式D。
咱们运用形式A,需设置为00
DATAST[7:0]：
数据坚持时刻，等于: DATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。
关于ILI9341相当于RD低电平持续时刻,最大355ns
关于STM32F1，一个HCLK=13.8ns (1/72M)，设置为15,相当于16个HCLK=220.8,加上STM32F1的FSMC功能较低一些,装备为15即可
关于STM32F4，一个HCLK=6ns(1/168M) ，设置为60(360)。
ADDSET[3:0]：
地址树立时刻。表明：ADDSET+1个HCLK周期，ADDSET最大为15。
对ILI9341来说，这儿相当于RD高电平持续时刻，为90ns。
STM32F1的FSMC功能较低,即使设置为0,RD也有190ns高电平,所以设置为1
STM32F1设置为15
留意:
假如未设置EXTMOD位,则读写共用FSMC_BTRx时序寄存器
3,SRAM/NOR闪存写时序寄存器(FSMC_BWTRx)-写时序操控
FSMC_BWTRx
ACCMOD[1:0]：
拜访形式。00:形式A;01:形式B;10:形式C;11:形式D。
DATAST[7:0]：
数据坚持时刻，等于: DATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。
对ILI9341来说，其实便是WR低电平持续时刻，为15ns，不过ILI9320等则需求50ns。
考虑兼容性，对STM32F1一个HCLK=13.8ns (1/72M)，设置为3(4*13.8=55.2);
对STM32F4，一个HCLK=6ns(1/168M) ，设置为9(9*6=54)。
ADDSET[3:0]：
地址树立时刻。表明：ADDSET+1个HCLK周期，ADDSET最大值为1111 = 15。
对ILI9341来说，这儿相当于WR高电平持续时刻，为15ns。
考虑兼容ILI9320，STM32F1即使设置为1,WR也有100ns高电平，所以设置为1。
而对STM32F4，则设置为8(9*6=54)
七,寄存器组合阐明
ST官方库寄存器界说中并没有FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等独自寄存器
而是将他们进行了一些组合。规则如下：
FSMC_BCRx和FSMC_BTRx，组合成BTCR[8]寄存器组，他们的对应联系如下：
BTCR[0]对应FSMC_BCR1，BTCR[1]对应FSMC_BTR1
BTCR[2]对应FSMC_BCR2，BTCR[3]对应FSMC_BTR2
BTCR[4]对应FSMC_BCR3，BTCR[5]对应FSMC_BTR3
BTCR[6]对应FSMC_BCR4，BTCR[7]对应FSMC_BTR4
FSMC_BWTRx则组合成BWTR[7]，他们的对应联系如下：
BWTR[0]对应FSMC_BWTR1，
BWTR[2]对应FSMC_BWTR2，
BWTR[4]对应FSMC_BWTR3，
BWTR[6]对应FSMC_BWTR4，
BWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保存
