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有源元件温度系数对总差错的影响

现在市面上可以看到很多0V~30V或60V可调直流输出范围的电源,但高于60V的电源则很少。本设计实例可提供这样一个解决方案。现在有很多固定电压开关模式电源(SMPS),将几个这样的电源串联起来还可实

  现在市面上能够看到许多0V~30V或60V可调直流输出规模的电源,但高于60V的电源则很少。本规划实例可供给这样一个解决方案。

  现在有许多固定电压开关形式电源(SMPS),将几个这样的电源串联起来还可完成更高的固定电压。为了从SMPS或依据传统变压器的电源取得可调输出,需求用到线性调节器或开关形式降压转换器。关于降压转换器,可运用MOSFET或IGBT作为开关元件。

  一般,高侧开关会运用自举IC或脉冲变压器。市场上很少有驱动MOSFET的光电耦合器。因为它们无法供给满足的电流来对电容快速充电,这些光电耦合器首要用于驱动低频MOSFET开关,例如固态继电器。

  这儿测验在开关稳压器中运用了光电耦合器(VOM1271),该耦合器具有一个内置的快速关断器材。假如将200pF栅极电容衔接至IC2,则开关时间(ton与toff)分别为53μs和24μs.有鉴于此,降压转换器挑选了2kHz的开关频率。此处选用了德州仪器(TI)的TL494(IC1)作为脉冲调制控制器。

  考虑到栅极阈值电压(VGS(th))、总栅极电荷(Qg)、漏源电压(VDS)及漏极电流(ID)等要素,本例运用了AOT7S60 MOSFET作为开关元件。因为VOM1271能够供给约8.4V的电压,VGS(th)应远低于该值;Q1的VGS(th)为3.9V,当电压为8.4V时,可完成杰出的导通功能。IC2无法供给更多电流(一般为45μA)。为保证开关速度并下降开关损耗,栅极电荷应坚持低值。MOSFET的Qg为8.2nC。

  在依据图1所示进行整流和滤波后,选用降压线路变压器输出测验降压转换器。输出电压经过可变电阻器R1在5V~70V规模内接连可调。

  

  图1:高压降压转换器原理图

  

  图2 给出了70V输出及230Ω负载下的栅源电压波形及%&&&&&%1输出波形。

  能够看到,虽然toff满足快,但ton仍约为80μs。关于许多开关使用来说,这个敞开进程是较慢的。若将开关频率设置为2kHz,应该不会导致太多开关损耗,关于PWM占空比较大的负载条件来说更是如此。

  虽然L 1 的值小于输入电压规模的核算值, 但当负载为80Ω~230Ω时,纹波可达80mV~120mVP-P。当输出电压为70V且负载为230Ω时,纹波为80mVP-P。相同作业条件下,电压调整率为0.75%。虽然功率随作业条件而改变,但在VOUT=70V及IOUT=0.3A时,测得的功率为92%。跟着输出电流的减小,功率也会下降。

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