为了进步电源的重复频率,添加一只高反压晶体管和一只二极管。如上图所示。上图中,电阻R1是晶闸管SCR的阳极负载,一起是晶体营Tt的偏置电阻。在SCR关断期间,Rl向T1供给基极电流,T1导通,所以充电进程开端。现在,电容器C1不是经过电阻(R’很小,可疏忽)而是经过导通的晶体管充电。因而,大大减小了充电回路的时间常数,有利于进步电源的作业频率。
一旦晶闸管SCR被触发而导通,电容器C1当即经过二极管D和SCR放电。放电期间,D上压降使T1反向偏置,所以将电源E与储能电容器C离隔,电路能够稳定地作业。
下图(a)给出另一种快速充电电路,它的基本原理是,经过一导通的晶体管使晶间管阳极接地而逼迫晶闸管敏捷关断。以此来进步电源作业频率。
激光电源改善电路
为了提高电源的重复频率,增加一只高反压晶体管和一只二极管。如上图所示。上图中,电阻R1是晶闸管SCR的阳极负载,同时是晶体营Tt的偏置电阻。在SCR关断期间,Rl向T1提供基极电流,T1导通,于是充电
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