让CMOS集成高压功用，ESD是关口
一个由英飞凌(Infineon Technologies)和印度孟买理工学院(Indian Institute of Technology, Bombay)组成的联合研讨小组，近来声称可将高电压功用集成在先进的CMOS技能中。
该联合项目成立于2007年，首要致力于对I/O设备设计范畴以及多门MOSFET的45纳米CMOS技能的研讨。该联合小组研讨人员表明，弱ESD鲁棒性和高ESD应力性，是使用先进CMOS技能制作高压接口(10V或以上)的首要妨碍。
该团队的研讨结果表明，设备的高压功用、从USB接口到高压线驱动器，都可以集成在选用45纳米乃至以下的CMOS片上体系。
英飞凌的ESD研讨高档首席工程师Harald Gossner表明，“这次合刁难咱们在了解一些现有设备的可靠性问题是非常有利的，所提出的解决方案也大大提升了咱们的产品功能。”
