电阻式传感器丈量电路
以典型的固态压阻式压力传感器为例，硅单晶资料在遭到外力作用发生极微小应变时，其内部原子结构的电子能级状况会发生改变，然后导致其电阻率剧烈改变。用此资料制成的电阻也就呈现极大改变，这种物理效应称为压阻效应。使用压阻效应原理，选用集成工艺技术通过掺杂、分散，沿单晶硅片上的特色晶向，制成应变电阻，构成惠斯登电桥（Wheats tone bridge），使用硅资料的弹性力学特性，在同-片硅资料上进行各向异性微加工，就制成了一个集力敏与力电转化检测于一体的分散硅传感器。再给传感器匹配一个扩大电路及相关外围部件，使之输出一一个规范信号，就组成了一台完好的变送器。
硅压阻式传感器一般对温度比较灵敏，但随着集成工艺技术的前进，分散硅灵敏膜的四个电阻一致性也得到进一步进步，并且在新一代的传感器中，原始的手艺补偿已被激光调阻、计算机主动修调等技术所代替，传感器的温度系数现已十分小了，工作温度规模也大幅度进步了。
热电阻式传感器丈量电路
热电阻的丈量电路一般选用不平衡电桥来转化，热电阻在工业丈量桥路中的接法常选用两线制（如图2所示）和三线制（如图3所示）两种。选用三线制电桥可消除和减小引线电阻的影响。
2热电阻两线丈量桥路
1—电阻体 2—引出线 3—显现表
3热电阻三线丈量桥路
1—电阻体 2—引出线 3—显现表
