什么是单导游电性
单项导电性，便是单方向的导电功用。
比方常用的电线，是双向的导电性。电流能够从这边传到那儿，也能够从那儿传到这边。
二极管便是单项导电的，他从一级到另一级的电阻简直为零，而反向电阻却很大，挨近绝缘。
这样的功用便是单项导电性
PN结加正向电压时，能够有较大的正向分散电流，即出现低电阻， 咱们称PN结导通； PN结加反向电压时，只要很小的反向漂移电流，出现高电阻， 咱们称PN结截止。 这便是PN结的单导游电性。
（1）正向：将P型区接电源正极，N型区接电源负极，则外电场削弱了内电场。分散运动加强，漂移运动削弱，分散大于漂移，构成正向电流IF。结电压很低，显现正向电阻很小，称为正导游通。
（2）反向：将P型区接电源负极，N型区接电源正极，则外电场加强了内电场。分散运动削弱，漂移运动增强，漂移大于分散，构成反向电流IR。因为漂移运动是由少子构成，数量很少，所以IR很小，能够忽略不计，但IR受温度影响较大。结电压近似等于电源电压，显现反向电阻很大，称为反向截止。
PN结正导游通，反向截止，即为单导游电性。
选用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就构成空间电荷区称PN结。PN结具有单导游电性。
PN结：一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面邻近的过渡区称。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体资料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体资料制成的PN结叫异质结。制作PN结的办法有合金法、分散法、离子注入法和外延生长法等。制作异质结一般选用外延生长法。
在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的效果下，空穴是能够移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体触摸时，在界面邻近空穴从P型半导体向N型半导体分散，电子从N型半导体向P型半导体分散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面邻近的结区中有一段距离短少载流子，却有散布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面邻近发生电场，这电场阻挠载流子进一步分散 ，到达平衡。
在PN结上外加一电压 ，假如P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，乃至消失，电流能够顺畅经过。假如N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这便是PN结的单导游性。
PN结加反向电压时 ，空间电荷区变宽 ， 区中电场增强。反向电压增大到必定程度时，反向电流将忽然增大。假如外电路不能约束电流，则电流会大到将PN结焚毁。反向电流忽然增大时的电压称击穿电压。根本的击穿组织有两种，即地道击穿和雪崩击穿。
PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器材。它的电容量随外加电压改动。
依据PN结的资料、掺杂散布、几许结构和偏置条件的不同，使用其根本特功用够制作多种功用的晶体二极管。如使用PN结单导游电功用够制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，使用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；使用高掺杂PN结地道效应制作地道二极管；使用结电容随外电压改变效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还能够制作多种光电器材。如使用前向偏置异质结的载流子注入与复合能够制作半导体激光二极管与半导体发光二极管；使用光辐射对PN结反向电流的调制效果能够制成光电探测器；使用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，使用两个PN结之间的相互效果能够发生扩大，振动等多种电子功用 。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的中心，是现代电子技术的根底。
