雪崩光电二极管（APD）是一种高活络度、高速度的光电二极管，在日常日子中运用广泛。
本文是关于雪崩光电二极管的相关介绍，并就其特色，探讨了雪崩光电二极管的活络度问题。
雪崩光电二极管
APD运用于对光信号需求高活络度的各种运用场合，例如光纤通讯、闪耀（scintillaTIon）勘探等。
对APD的丈量一般包含击穿电压、呼应度和反向偏置电流等。
长处
与真空光电倍增管比较，雪崩光电二极管具有小型、不需求高压电源等长处，因而更适于实践运用；与一般的半导体光电二极管比较，雪崩光电二极管具有活络度高、速度快等长处，特别当体系带宽比较大时，能使体系的勘探功能取得大的改进。
当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时，在耗尽层内运动的载流子就或许因磕碰电离效应而取得雪崩倍增。人们开始在研讨半导体二极管的反向击穿组织时发现了这种现象。当载流子的雪崩增益十分高时，二极管进入雪崩击穿状况；在此曾经，只需耗尽层中的电场足以引起磕碰电离，则经过耗尽层的载流子就会具有某个均匀的雪崩倍增值。
磕碰电离效应也可以引起光生载流子的雪崩倍增，从而使半导体光电二极管具有内部的光电流增益。1953年，K.G.麦克凯和K.B.麦卡菲报导锗和硅的PN结在挨近击穿时的光电流倍增现象。1955年，S.L.密勒指出在骤变PN结中，载流子的倍增因子M随反向偏压V的改动可以近似用下列经历公式表明
M=1/[1-(V/VB)n]
式中VB是体击穿电压,n是一个与资料性质及注入载流子的类型有关的指数。当外加偏压十分挨近于体击穿电压时，二极管取得很高的光电流增益。PN结在任何小的部分区域的提早击穿都会使二极管的运用遭到约束，因而只有当一个实践的器材在整个PN结面上是高度均匀时，才干取得高的有用的均匀光电流增益。因而，从作业状况来说，雪崩光电二极管实践上是作业于挨近（但没有到达）雪崩击穿状况的、高度均匀的半导体光电二极管。
影响呼应速度的要素
载流子在耗尽层中取得的雪崩增益越大，雪崩倍增进程所需的时刻越长。因而，雪崩倍增进程要遭到“增益-带宽积”的约束。在高雪崩增益情况下，这种约束或许成为影响雪崩光电二极管呼应速度的首要要素之一。但在适中的增益下，与其他影响光电二极管呼应速度的要素比较，这种约束往往不起首要效果，因而雪崩光电二极管依然能取得很高的呼应速度。现代雪崩光电二极管增益-带宽积已达几百吉赫。
与一般的半导体光电二极管相同，雪崩光电二极管的光谱活络规模首要取决于半导体资料的禁带宽度。制备雪崩光电二极管的资料有硅、锗、砷化镓和磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物及其三元、四元固熔体。依据构成耗尽层办法的不同，雪崩光电二极管有PN结型（同质的或异质结构的PN结。其间又有一般的PN结、PIN结及比如 N+PπP+结等特别的结构）、金属半导体肖特基势垒型和金属-氧化物-半导体结构等。
怎么进步雪崩光电二极管活络度
光敏二极管和光敏三极管是光电转化半导体器材，与光敏电阻器比较具有活络度高、高频功能好，可靠性好、体积小、运用方便等长处。 光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的，其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因而作业时需加上反向电压。无光照时，光敏二极管截止。当光线照耀PN结时，光敏二极管导通。
光敏二极管运用时要反向接入电路中，即正极接电源负极，负极接电源正极。常见的有2CU、2DU等系列。 光敏二极管是一种光电转化器材，其基本原理是光照到PN结上时，吸收光能并转变为电能。它具有两种作业状况：
当光敏二极管加上反向电压时，管子中的反向电流跟着光照强度的改动而改动，光照强度越大，反向电流越大，大多数都作业在这种状况。
光敏二极管上不加电压，运用P-N结在受光照时发生正向电压的原理，把它用作微型光电池。这种作业状况，一般作光电检测器。光敏二极管分有P-N结型、PIN结型、雪崩型和肖特基结型，其间用得最多的是PN结型，价格便宜。
光敏三极管和一般三极管类似，也有电流扩大效果，仅仅它的集电极电流不仅仅受基极电路和电流操控，一起也受光辐射的操控。 一般基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿和附加操控等效果。当具有光敏特性的PN 结遭到光辐射时，构成光电流，由此发生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个扩大了相当于β倍的电流。不同资料制成的光敏三极管具有不同的光谱特性，与光敏二极管比较，具有很大的光电流扩大效果，即很高的活络度。它由光控三极管和35集成电路两部分组成。
集成电路IC及三极管T3、电阻R4、R5等构成扩大电路。平常在光源照耀下，T1呈低阻状况，T2饱满导通，IC触发端3脚得不到正触发脉冲而不作业，扬声器无声。当T1被物体遮挡时，便发生一负脉冲电压，并经过C1耦合到T2的基极，导致T2进入截止状况，IC取得一正触发脉冲而作业，输出音频经过T3扩大，推进扬声器宣布动静
雪崩光电二极管的运用
雪崩光电二极管（APD）是一种高活络度、高速度的光电二极管。施加反向电压时，能发动其内部的增益组织。APD的增益可以由反向偏置电压的起伏来操控。反向偏置电压越大增益就越高。APD在电场强度的效果下作业，光电流的雪崩倍增类似于链式反应。APD运用于对光信号需求高活络度的各种运用场合，例如光纤通讯、闪耀（scinTIllaTIon）勘探等。 对APD的丈量一般包含击穿电压、呼应度和反向偏置电流等。典型APD的最大额定电流为10-4到10-2A，而其暗电流则可低达10-12到10-13A的规模。最大反向偏置电压随APD的资料而改动，铟砷化镓（InGaAs）资料的器材可达100V，硅资料的器材则可高达500V。 测验介绍 丈量APD的反向偏置电流需求一种可以在很宽规模内丈量电流并且能输出扫描电压的仪器。由于这种要求，吉时利6487型皮安计电压源或许6430型亚飞安（Sub-Femtoamp）源-表等仪器关于这类丈量作业是十分抱负的。 图4-19 所示为6430型亚飞安源-表连接到一个光电二极管上。该光电二极管安放在一个电屏蔽的暗箱中。为了对灵敏的电流丈量进行屏蔽，使其不受静电搅扰的影响，将此暗箱与6430型亚飞安源表的低端相连。
图4-20示出运用6430型数字源表丈量得到的铟砷化镓（InGaAs）资料APD的电流与反向扫描电压的联系曲线，留意其电流丈量的规模很宽。跟着光的增强，雪崩区域变得愈加显着。击穿电压将引起电流自在活动，由于这时会构成电子空穴对，而不再需求光照耀二极管来发生电流。
结语
关于雪崩光电二极管的活络度的介绍就到这了，期望经过本文能让你对雪崩光电二极管活络度有更深的知道。
