答疑解惑哪家强?当属咱们EEPW最强。。。接下来持续咱们的答疑解惑。
35. 尽管可用的存储空间看起来比section的长度要大，可是链接器为何提示“placement fails for object”?
这种状况一般是因为段的空间的分配是并不是咱们幻想中的接连的一个紧挨一个，而是被编译器给“分块”办理了。在内存地址分配时，一个段需求彻底适配到页(page)中，或许从页的鸿沟开端接连分配;为了满意这个要求，段在分配到页中时，或许无法彻底运用某些页，导致内存地址中发生了空隙(hole)，使得实践所需求的内存空间超过了依据变量巨细计算出来的理论值。编译器这样做的意图是为了优化数据页(DP)寄存器的加载，到达减小代码尺度和优化程序功能的意图。例如，针对一个数组，假如数组的长度小于64字(words)，则编译器仅需安全地加载DP一次就能够拜访数组的悉数元素;假如数组长度大于64字，则在拜访每64字的数组元素时，编译器仅需加载一次DP，当然假如拜访多个64字的数组元素则仍需求屡次加载DP。
举例说明：
在cmd里界说：
RAMM1 : origin = 0x000400, length = 0x000400 /* on-chip RAM block M1 */
commbuf : > RAMM1 PAGE = 1
在main.c里界说以下几个变量
#pragma DATA_SECTION(sendT, "commbuf")
Uint16 sendT[260];
#pragma DATA_SECTION(receT, "commbuf")
Uint16 receT[260];
#pragma DATA_SECTION(CntPPR, "commbuf")
Uint32 CntPPR[250];
表面上共需260+260+250*2=1020，commbuf正好放得下.但ccs提示空间不行：
(run placement fails for object "commbuf", size 0x474 (page 1).
Available ranges: RAMM1 size: 0x400 unused: 0x400 max hole: 0x400)
发生过错的原因是依据DP加载的准则，page被划分为64word的小单元，而数组被存储在接连的、整块的单元上，未运用到的空间不会再分配给其它数组或许变量运用。所以16位260长度的数组实践占用了64*5=320 (64*4=256<260)，32位500的长度实践占用了64*8=512，占用的总长度为：320*2+512=1152=0x480。
依照CCS的提示，commbuf占用空间是320*2+500=1140=0x474，可是事实上32位数组占有的最终那个page现已无法被其他变量运用了，所以假如还有新的变量呈现的话，会提示RAMM1块短少的地址更多。
依据咱们的需求，能够在每次之间内存读取操作之前都加载DP，这样就能够禁用上面的“分块”办理特性了。这样做尽管能够减小内存地址空间中的“空隙”，可是每一次拜访内存都需求加载DP，反而大大地增加了代码的尺度，实在是因小失大(看起来很少有人会这么做)。咱们能够经过启用编译器的-disable_dp_load_opt，或许叫-md选项来完成这一办法。
承认某个段是否被编译器给分块办理的办法便是运用.bss和.usect指令，具体内容请参阅http://www.eepw.com.cn/article/263821.htm。
36. 链接器提示“placement fails for object '.text'”，咱们怎么为.text分配更多的内存?
.text段中包括包括一切可履行的代码，以及编译器编译发生的常量。假如咱们的代码比较大，超过了cmd文件中默许分配的空间，则.text无法适配到内存空间中，就会发生上面的过错。一般有三种办法能够来为其分配更多的空间。
办法一：修正cmd
这个咱们现已提到过，请参阅http://www.eepw.com.cn/article/256732.htm。
办法二：切割.text，把它平均分配到多个内存区域中
这个办法比较直观，条件是几个内存区域的总长度要满意要求。例如：
.text : >> FLASHA | FLASHC | FLASHD, PAGE = 0
办法三：完好切割法
这个姓名有点乖僻，它实质依然是把.text切割，方针区域也能够有多个，可是当第一个区域就满意要求时，则只把它分配到第一个区域中，剩下的现在区域实践上未被运用到。
在实践编程完成时，这些办法依然存在必定的约束，包括：
1. 在包括操控律加速器CLA 的Piccolo器材中，只要特定的内存区域可被CLA所运用。
2. 在含有DMA的器材中，并不是一切的内存都可被DMA所拜访。
3. 一般状况下，SRAM都是单个机器周期内只能拜访一次，可是0等候状况的。但在一些器材中，程序内存操控是包括等候状况的，例如在某些2833x器材中，DMA可拜访的数据空间是0等候状况的，可是程序操控是1等候状况的。这些SRAM空间更适合纯数据拜访类型的运用。
37. 在cmd文件中，能够把接连的Flash模块组合为一个全体的区间吗?
答案是能够的。在Flash的烧写中，能够在同一时刻被烧写的Flash的最小长度被称为扇区(sector)，所以经过把咱们的代码进行分区烧写，就能够把它们对齐到扇区。
Flash模块结合的办法一：直接兼并法
以把两个Flash扇区组和为一个段为例：
兼并前，两个扇区的界说是：
MEMORY
{
//
// Individual sectors E and F called out in the MEMORY description
//
…
FLASHF : origin = 0x310000, length = 0x008000 /* on-chip FLASH */
FLASHE : origin = 0x318000, length = 0x008000 /* on-chip FLASH */
…
}
兼并之后的Flash区间为：
MEMORY
{
//
// Sectors E and F merged into one in the MEMORY description
//
…
FLASH : origin = 0x310000, length = 0x010000 /* on-chip FLASH F & FLASH E */
…
}
办法二：反其道行之，把段分配到多个Flash模块中，与问答36的办法二是共同的，例如：
SECTIONS
{
.text: { *(.text) } >> FLASHE| FLASHH
}
38. 在cmd文件中，能够把相邻的SARAM模块组合为一个全体的区间吗?
答案是能够的，办法与Flash组合的办法相同。
尽管这样做是彻底没有问题的，但需求紧记SARAM模块都是单个机器周期内只能拜访一次的，所以为了优化程序的功能，最好把代码给分区到不同的物理SARAM模块中，这样能够削减很多读/写操作中的资源抵触。
39. 关于DSP/BIOS的工程，怎么了解链接的信息?
DSP/BIOS 的装备东西生成一个cmd文件，规则怎么衔接一切 DSP/BIOS 生成的程序段，而且默许链接至一切 C/C++ 言语编译程序生成的程序段。 当从 RAM 运转程序时，或许只需求这一个cmd文件就够了。但在当从Flash中履行时，很有或许需求生成且衔接一个或多个自界说的程序段。
此外，任何装备片载Flash操控寄存器(例如，Flash等候状况)的代码不能从Flash履行。咱们或许需求从 RAM(而非Flash)中运转特定时刻要害函数来大幅提高功能。 有必要创立一个自界说cmd来处理这些咱们界说的程序段。能够参阅Running an Application from Internal Flash Memory on the TMS320F28xx DSP这个文档，其示例代码在http://www.ti.com/general/docs/lit/getliterature.tsp?baseLiteratureNumber=spra958&fileType=zip。
需求留意的是，这些文档和程序与新版本的CCS中所包括SYS/BIOS并不是彻底兼容的。此外，假如咱们想运用第三方的操作系统，例如VxWorks、us/OS、INTEGRITY等，则要依据这些RTOS的特色进行内存的分配与办理。
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