MOSFET已经是是开关电源范畴的肯定主力器材。但在一些实例中，与MOSFET比较，双极性结式晶体管 (BJT) 或许依然会有必定的优势。特别是在离线电源中，本钱和高电压(大于 1kV)是运用BJT而非MOSFET的两大理由。
在低功耗(3W 及以下)反激式电源中，很难在本钱上打败 BJT。大批量购买时，一个 13003 NPN 晶体管价格可低至 0.03 美元。该器材不仅可处理 700V VCE，并且无需过大的基流便可驱动几百毫安的电流。运用 BJT，增益和功率耗散或许会将实践运用约束在低功耗运用中。在这些低功耗规范下，MOSFET 与 BJT 之间的功率差异十分纤细。下图 1 比照了两个类似 5V/1W 规划的功率。第一个规划是“230VAC 输入、5.5V/250mA 非阻隔式反激转换器”运用 MOSFET，而另一个规划则是“120VAC 输入、5V/200mA 反激转换器”运用 BJT。这并不是彻底公正的比照，由于这两个电源在规划上选用不同的输入电压运转，但它说明晰它们的功率有多类似。
图 1：反激转换器MOSFET规划与BJT规划的功率比照
有些新控制器实践是规划用于驱动 BJT 的，意图是供给最低本钱的解决方案。在大多数状况下，具有外部 BJT 的控制器比包括集成型 MOSFET 的控制器廉价。在运用 BJT 控制器进行规划时，有必要留意保证 BJT 的基极驱动与增益足以在变压器中供给必要的峰值电流。
在略微偏高的功率级下，FET 与 BJT 的功率差异就会变得较为显着，原因在于 BJT 较差的开关特性与压降。可是，关于输入电压高于 100-240VAC 典型家用及商用电压规模的运用来说，BJT 或许仍有优势。工业运用与功率计便是这种状况的两个实例，它们或许需求更高的输入电压。价格合理的 MOSFET 只能用于 1kV 以下。在有些功率计运用中，线路电压或许会超越 480VACrms。在整流器后会到达 680Vdc 以上的电压。关于三相位输入，这一数字或许还会更高。电源开关需求能够接受这种电压以及反射输出电压与漏电峰值。在这些运用中，MOSFET 或许根本就无法作为选项，因而 BJT 就成了最简略、最低本钱的解决方案。
咱们之前讨论过，当功率级提高到 3W 以上时，BJT 中的开关丢失或许就会成为大问题。运用级联衔接来驱动 BJT 能够缓解这一问题。下图 2(摘自 PMP7040)是级联衔接的工作状况。BJT (Q1) 的基极衔接至 VCC 电轨，一起发射极被拉低用以翻开开关。在 UCC28610 内部，一个低电压 MOSFET 将 DRV 引脚拉低，并由一个内部电流感应来组织峰值开关电流。由内部 MOSFET 完成快速关断，由于它与外部高电压 BJT 串联。
图 2：PMP7040 原理图展现级联衔接的工作状况
总归，BJT 或许会在您的电源中具有重要意义，依然是有一些原因的。在低于 3W 的运用中，它们或许会在不怎么影响功能的状况下，具有低本钱优势。在更高电压下，它们可在 MOSFET 挑选或许具有局限性的状况下供给更多挑选。
