可控硅器材是一种较为常见的半导体器材，其被大面积运用在电视、空调、冰箱、电灯等家电范畴。因而在可控硅的运用过程中总会遇到这样或许那样的问题。由可控硅引起的电路及器材焚毁便是这样一种常见问题，本文就将结合实例，为我们解说一种单片机接通可控硅打火后焚毁的状况。
如图1所示，直流24V是半波收拾后阻容降压所形成的，之后HT7533转化3V给单片机来操控可控硅和继电器。单片机操控信号先翻开可控硅6ms，之后再翻开继电器。那么问题来了，当可控硅不焊接时，单片机操控继电器正常，但衔接MAC97A后，单片机接通可控硅后电路打火，单片机和后端的24V转3V的LDO焚毁，为什么会这样呢?
如果在电路中需求运用可控硅，就需求用MOC3022之类光耦阻隔操控，要求阻容降压电源正极和沟通电源线共线，一起可控硅A1接在共线上。 反观事例中的原理图和PCB，能够看到可控硅的G和T2之间电压很小，可控硅在焊接之后就将220v引进，因而打火的状况是必定的。
此外不是只在G接操控即可，G的操控是相对于T2的，但T2现已达到了220v，焚毁是必定的。这儿多说一句，有的规划者很有主意，这样的方法能够让继电器接通时有颤动，能够防止继电器颤动带来的损害，由于在继电器接通时，可控硅现已打通。
有时间的朋友能够试试运用过0触发的MOC3041/61/83之类来阻隔驱动事例中的可控硅，或许连过0检测都不需求了。
经过剖析，能够看到本例中双向可控硅焚毁的问题是由规划和接通过错形成的。正在学习可控硅相关常识的朋友能够仔细阅读本文，信任必定能从文中找到一些有用的解决方法或常识点。
