在此系列的榜首部分中，评论过高电流栅极驱动器怎么协助体系完成更高的功率。高速栅极驱动器也能够完成相同的作用。
高速栅极驱动器能够经过下降FET的体二极管功耗来进步功率。体二极管是寄生二极管，大多数类型的FET固有。它由p-n结点构成而且坐落漏极和源极之间。图1所示为典型MOSFET电路符号中表明的体二极管。
图1：MOSFET符号包含固有的体二极管
约束体二极管的导通时刻将然后下降其两头所耗费的功率。这是由于当MOSFET处于导通状况时，体二极管上的压降一般高于MOSFET两头的电压。关于相同的电流水平，P = I×V(其间P是功耗，I是电流，V是电压降)，经过MOSFET通道的传导损耗明显低于经过体二极管的传导损耗。
这些概念在电力电子电路的同步整流中发挥作用。同步整流经过用比如功率MOSFET的有源操控器材替代二极管来进步电路的功率。削减体二极管导通能够使这种技能的长处最大化。
下面考虑同步降压转换器的状况。当高侧FET关断而且电感器中依然存在电流时，低侧FET的体二极管变为正向偏置。死区时刻短对防止直通很有必要。在此之后，低侧FET导通并开端经过其通道导通。相同的原理适用于一般在DC / DC电源和电动机驱动规划中发现的其它同步半桥装备。
关于高速接通，栅极驱动器的一个重要参数是导通传达推迟。这是在栅极驱动器的输入端施加信号到输出开端变高时的时刻。这种状况如图2所示。当FET从头导通时，体二极管将关断。快速的导通传达推迟能够更快地导通FET，然后最小化体二极管的导通时刻，然后使损耗最小化。
图2：时刻示意图，t_PDLH是导通传达推迟
TI的产品组合包含具有职业抢先的高速导通传达推迟的栅极驱动器。参见表1。
表1：高速驱动器
