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开关电源规划及进程概述

一、概论开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。开关电源和线性电源相比,二者的成本都

  一、概论

  开关电源是运用现代电力电子技能,操控开关管注册和关断的时刻比率,保持安稳输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)操控IC和MOSFET构成。开关电源和线性电源比较,二者的本钱都跟着输出功率的添加而添加,但二者添加速率各异。线性电源本钱在某一输出功率点上,反而高于开关电源,这一点称为本钱回转点。跟着电力电子技能的开展和立异,使得开关电源技能也在不断地立异,这一本钱回转点日益向低输出电力端移动,这为开关电源供应了宽广的开展空间

  电源有如人体的心脏,是一切电设备的动力。但电源却不像心脏那样方法单一。由于,标志电源特性的参数有功率、电源、频率、噪声及带载时参数的改变等等;在同一参数要求下,又有体积、分量、形状、功率、牢靠性等目标,人可按此去”刻画”和完美电源,因而电源的方法是极多的。

  跟着电力电子技能的高速开展,电力电子设备与人们的作业、日子的联系日益亲近,而电子设备都离不开牢靠的电源,进入80年代核算机电源全面实现了开关电源化,首先完结核算机的电源换代,进入90年**关电源相继进入各种电子、电器设备范畴,程控交换机、通讯、电子检测设备电源、操控设备电源等都已广泛地运用了开关电源,更促进了开关电源技能的迅速开展。开关电源是运用现代电力电子技能,操控开关晶体管注册和关断的时刻比率,保持安稳输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)操控IC和MOSFET构成。开关电源和线性电源比较,二者的本钱都跟着输出功率的添加而添加,但二者添加速率各异。线性电源本钱在某一输出功率点上,反而高于开关电源,这一本钱回转点。跟着电力电子技能的开展和立异,使得开关电源技能在不断地立异,这一本钱回转点日益向低输出电力端移动,这为开关电源供应了广泛的开展空间。

  一般电力要经过转化才干契合运用的需求。转化的比如有:沟通转化成直流,高电压变成低电压,大功率中取小功率等等。

  开关电源的作业原理是:

  1.沟通电源输入经整流滤波成直流;

  2.经过高频PWM(脉冲宽度调制)信号操控开关管,将那个直流加到开关变压器初级上;

  3.开关变压器次级感应出高频电压,经整流滤波供应负载;

  4.输出部分经过必定的电路反馈给操控电路,操控PWM占空比,以到达安稳输出的意图。

  开关电源设计全过程

  1 意图

  期望以简略的篇幅,将公司现在规划的流程做介绍,若有介绍不当之处,请不吝珠玉。

  2 规划过程:

  2.1 绘线路图、PCB Layout.

  2.2 变压器核算。

  2.3 零件选用。

  2.4 规划验证。

  3 规划流程介绍(以DA-14B33为例):

  3.1 线路图、PCB Layout请参阅资识库中阐明。

  3.2 变压器核算:

  变压器是整个电源供应器的重要中心,所以变压器的核算及验证是很重要的,以下即就DA-14B33变压器做介绍。

  3.2.1 决议变压器的原料及尺度:

  根据变压器核算公式

  B(max) = 铁心饱合的磁通密度(Gauss)

  Lp = 一次侧电感值(uH)

  Ip = 一次侧峰值电流(A)

  Np = 一次侧(主线圈)圈数

  Ae = 铁心截面积(cm2)

  B(max)依铁心的原料及自身的温度来决议,以TDK Ferrite Core PC40为例,100℃时的B(max)为3900 Gauss,规划时应考虑零件差错,所以一般取3000~3500 Gauss之间,若所规划的power为Adapter(有外壳)则应取3000 Gauss左右,以防止铁心因高温而饱合,一般来说铁心的尺度越大,Ae越高,所以能够做较大瓦数的Power.

  3.2.2 决议一次侧滤波电容

  滤波电容的决议,能够决议电容器上的Vin(min),滤波电容越大,Vin(win)越高,能够做较大瓦数的Power,但相对价格亦较高。

  3.2.3 决议变压器线径及线数:

  当变压器决议後,变压器的Bobbin即可决议,根据Bobbin的槽宽,可决议变压器的线径及线数,亦可核算出线径的电流密度,电流密度一般以6A/mm2为参阅,电流密度对变压器的规划而言,只能作为参阅值,终究应以温昇记载为准。

  3.2.4 决议Duty cycle (作业周期):

  由以下公式可决议Duty cycle ,Duty cycle的规划一般以50%为基准,Duty cycle若超越50%易导致振动的产生。

  NS = 二次侧圈数

  NP = 一次侧圈数

  Vo = 输出电压

  VD= 二极体顺向电压

  Vin(min) = 滤波电容上的谷点电压

  D =作业周期(Duty cycle)

  3.2.5 决议Ip值:

  Ip = 一次侧峰值电流

  Iav = 一次侧均匀电流

  Pout = 输出瓦数

  功率

  PWM震动频率

  3.2.6 决议辅佐电源的圈数:

  根据变压器的圈比联系,可决议辅佐电源的圈数及电压。

  3.2.7 决议MOSFET及二次侧二极体的Stress(应力):

  根据变压器的圈比联系,能够开始核算出变压器的应力(Stress)是否契合选用零件的标准,核算时以输入电压264V(电容器上为380V)为基准。

  3.2.8 其它:

  若输出电压为5V以下,且有必要运用TL431而非TL432时,须考虑多一组绕组供应Photo coupler及TL431运用。

  3.2.9 将所得材料代入 公式中,如此可得出B(max),若B(max)值太高或太低则参数有必要从头调整。

  3.2.10 DA-14B33变压器核算:

  输出瓦数13.2W(3.3V/4A),Core = EI-28,可绕面积(槽宽)=10mm,Margin Tape =? 2.8mm(每边),剩下可绕面积=4.4mm.

  假定fT = 45 KHz ,Vin(min)=90V,? =0.7,P.F.=0.5(cosθ),Lp=1600 Uh

  核算式:

  变压器原料及尺度:l

  由以上假定可知原料为PC-40,尺度=EI-28,Ae=0.86cm2,可绕面积(槽宽)=10mm,因Margin Tape运用2.8mm,所以剩下可绕面积为4.4mm.

  假定滤波电容运用47uF/400V,Vin(min)暂定90V.

  决议变压器的线径及线数:

  假定NP运用0.32ψ的线

  电流密度=

  可绕圈数=

  假定Secondary运用0.35ψ的线

  电流密度=

  假定运用4P,则

  电流密度=

  可绕圈数=

  决议Dutyl cycle:

  假定Np=44T,Ns=2T,VD=0.5(运用schottky Diode)

  决议Ip值:

  决议辅佐电源的圈数:

  假定辅佐电源=12V

  NA1=6.3圈

  假定运用0.23ψ的线

  可绕圈数=

  若NA1=6Tx2P,则辅佐电源=11.4V

  决议MOSFET及二次侧二极体的Stress(应力):

  MOSFET(Q1) =最高输入电压(380V)+ =

  =463.6V

  Diode(D5)=输出电压(Vo)+ x最高输入电压(380V)=

  =20.57V

  Diode(D4)=

  = =41.4V

  其它:

  由于输出为3.3V,而TL431的Vref值为2.5V,若再加上photo coupler上的压降约1.2V,将使得输出电压无法推进Photo coupler及TL431,所以有必要别的添加一组线圈供应回授途径所需的电压。

  假定NA2 = 4T运用0.35ψ线,则

  可绕圈数= ,所以可将NA2定为4Tx2P

  变压器的接线图:

  3.3 零件选用:

  零件方位(标示)请参阅线路图: (DA-14B33 Schematic)

  3.3.1 FS1:

  由变压器核算得到Iin值,以此Iin值(0.42A)可知运用公司共用料2A/250V,规划时亦须考虑Pin(max)时的Iin是否会超越保险丝的额定值。

  3.3.2 TR1(热敏电阻):

  电源发动的瞬间,由於C1(一次侧滤波电容)短路,导致Iin电流很大,尽管时刻很时间短,但亦或许对Power产生损伤,所以有必要在滤波电容之前加装一个热敏电阻,以约束开机瞬间Iin在Spec之内(115V/30A,230V/60A),但因热敏电阻亦会耗费功率,所以不可放太大的阻值(否则会影响功率),一般运用SCK053(3A/5Ω),若C1电容运用较大的值,则有必要考虑将热敏电阻的阻值变大(一般运用在大瓦数的Power上)。

  3.3.3 VDR1(突波吸收器):

  当雷极产生时,或许会损坏零件,从而影响Power的正常动作,所以有必要在靠AC输入端 (Fuse之後),加上突波吸收器来维护Power(一般常用07D471K),但若有价格上的考量,可先疏忽不装。

  3.3.4 CY1,CY2(Y-Cap):

  Y-Cap一般可分为Y1及Y2电容,若AC Input有FG(3 Pin)一般运用Y2- Cap , AC Input若为2Pin(只需L,N)一般运用Y1-Cap,Y1与Y2的差异,除了价分外(Y1较贵重),绝缘等级及耐压亦不同(Y1称为两层绝缘,绝缘耐压约为Y2的两倍,且在电容的本体上会有”回”符号或注明Y1),此电路由于有FG所以运用Y2-Cap,Y-Cap会影响EMI特性,一般来说越大越好,但须考虑漏电及价格问题,漏电(Leakage Current )有必要契合安规须求(3Pin公司标准为750uA max)。  3.3.5 CX1(X-Cap)、RX1:

  X-Cap为防制EMI零件,EMI可分为Conduction及Radiation两部分,Conduction标准一般可分为: FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 两种 , FCC测验频率在450K~30MHz,CISPR 22测验频率在150K~30MHz, Conduction可在厂内以频谱分析仪验证,Radiation 则有必要到实验室验证,X-Cap 一般对低频段(150K ~ 数M之间)的EMI防制有用,一般来说X-Cap愈大,EMI防制作用愈好(但价格愈高),若X-Cap在0.22uf以上(包括0.22uf),安规规则有必要要有泄放电阻(RX1,一般为1.2MΩ 1/4W)。

  3.3.6 LF1(Common Choke):

  EMI防制零件,首要影响Conduction 的中、低频段,规划时有必要一起考虑EMI特性及温昇,以相同尺度的Common Choke而言,线圈数愈多(相对的线径愈细),EMI防制作用愈好,但温昇或许较高。

  3.3.7 BD1(整流二极体):

  将AC电源以全波整流的方法转化为DC,由变压器所核算出的Iin值,可知只需运用1A/600V的整流二极体,由于是全波整流所以耐压只需600V即可。

  3.3.8 C1(滤波电容):

  由C1的巨细(电容值)可决议变压器核算中的Vin(min)值,电容量愈大,Vin(min)愈高但价格亦愈高,此部分可在电路中实践验证Vin(min)是否正确,若AC Input 范围在90V~132V (Vc1 电压最高约190V),可运用耐压200V的电容;若AC Input 范围在90V~264V(或180V~264V),因Vc1电压最高约380V,所以有必要运用耐压400V的电容

  Re:开关电方规划过祘

  3.3.9 D2(辅佐电源二极体):

整流二极体,一般常用FR105(1A/6

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