装备背光的一种规范办法是运用两个分立式器材： 一个选用DPAK封装的100 V MOSFET,以及一个相同选用DPAK封装的100 V肖特基二极管。LED背光单元中，肖特基二极管的高漏电流可能会形成一些问题，尤其在较高温度下。有些人曾遇到量产时肖特基二极管呈现走漏毛病的问题。改进走漏毛病的一种办法是将肖特基二极管的额外电压从100 V添加到120 V,但体系温度较高时，漏电流仍然是个问题。
飞兆半导体的规划团队开发了一种代替办法，即选用100 V BoostPak解决计划。BoostPak系列(图1)在单封装内集成两个器材： 一个100 V MOSFET和一个150 V NP二极管。
图1. BoostPak在单封装内集成100 V MOSFET和150 V NP二极管
BoostPak系列选用5引脚DPAK单封装。N沟道MOSFET针对最大程度下降导通电阻并坚持超卓的开关功能而规划。NP二极管为超快速整流器，带低正导游通压降，具有超卓的开关功能。比较肖特基二极管，它具有低得多的漏电流，在高温运用中供给更高的体系可靠性。
比较双分立器材解决计划，BoostPak计划的尺度更小，可节约多达20mm2的PCB空间。运用单封装而非两个封装还意味着安装更便利、体系本钱更低。
BoostPak系列供给两种版别，一种额外输出功率为25 W,另一种额外值为40 W.表1列出详细信息。
表1. BoostPak安装规范
更高温度下的功能更佳
咱们想要知道NP二极管的漏电流到底有多低，因而咱们进行了一些测验。测验成果如图2所示。
图2:二极管漏电流比较
与100 V、5A肖特基二极管比较，150 V、5 A BoostPak系列NP二极管在所有条件下的额外漏电流值低得多，但两者在高温下不同极大。跟着温度上升，肖特基二极管的漏电流以极快的速度添加，而比较之下NP二极管的漏电流仍然较低。
BoostPak系列的NP二极管选用绝佳的生命周期操控工艺制成，以完成极快速的反向恢复时间和合理的正向压降(VF(典型值)： 0.9 V,条件为 IF=5 A、TJ=100 度)
图3:对反向恢复时间进行了比较
实践规划
下一步，咱们将验证BoostPak系列可以在实践规划中约束漏电流，因而咱们开发了一款评价板，并在多种条件下进行测验。图4为根本规划，BoostPak系列高亮显现。
图4. LED背光中的BoostPak
该规划针对35 W升压拓扑，运用接连电流形式(CCM)操作。输入电压规模为20.4 V至27.6 V,选用单通道直流输出，恒定电流值为640 mA (55 V)。咱们选用BoostPak系列的FDD8500N10LD版别。
在CCM操作期间，二极管反向恢复电流添加MOSFET的导通损耗。NP二极管供给低反向恢复电流，对MOSFET的影响更小。
测验温度与EMI
咱们在规划BoostPak产品时，紧记两个方针。首要，咱们期望将器材壳的工作温度坚持在65℃以下。其次，咱们期望满意电磁搅扰(EMI)的通用规范，将EMI坚持在CISPR22 B类规范规则的限值以下。
咱们测量了饱满温度。如表2所示，在24 V输入电压(VIN)的情况下，BoostPak系列温度坚持在61.5℃，低于65℃的方针。
表2. VOUT= 55V (35W)时的测验成果
接着，咱们经过查看五串LED负载时的辐射量，测验EMI.图5显现VIN为24V时的成果。
图5. 辐射量： VIN= 24 V
在30 MHz至1000 MHz的子频率规模内，辐射量远低于CISPR22 B类的额外限值。
结语
测验成果显现飞兆半导体的BoostPak系列(以单个100 V BoostPak代替100 V MOSFET和100 V肖特基二极管)低漏电流二极管满意工作温度下有必要的功能和EMI要求。一起，运用BoostPak系列可让规划的尺度更小、更紧凑，而且更易于拼装。在本钱竞赛型运用中，如屏幕尺度小于40英寸的LED电视机，这些优势可让产品锋芒毕露。BoostPak办法还可节约其他运用的本钱，比方LED照明体系和升压/降压操作DC-DC转换器。
