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低电压CMOS两级OTA电路

低电压CMOS两级OTA电路在第一级采用共源共栅结构M1~M11,相比基本的两级放大器可以提高增益,并克服了套筒式结构的输入范围窄的缺点。输入采用PMOS折叠式差分输入结构,输入共模范围可以非常宽,甚

低电压CMOS两级OTA电路在榜首级选用共源共结构M1~M11,比较根本的两级扩大器能够进步增益,并克服了套筒式结构的输入规模窄的缺陷。输入选用PMOS折叠式差分输入结构,输入共模规模能够非常宽,乃至能够低于底电压。一起第2级扩大结构的存在,输出规模能够到达全摆幅。规划中此电路选用差转单的结构将输出转换为单端输出,这样给电路添加了一个镜像极点,可是与此一起带来的零点一起效果使得其极点的影响能够疏忽。而且电路中为了添加电路稳定性,进步相位裕度,减小非零主极点的影响,还进行了米勒电容的频率补偿。将米勒电容Cc接在第1级共栅输入端和和第2级输出段之间这样在反应通路上存在一个共栅结构,消除了频率补偿原本因前馈同路而带来的零点。

低电压CMOS两级OTA电路

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