PN结的构成
把一块半导体硅片或锗片，经过必定的工艺办法.一边做成P型半导体，另一边做成N型半导体，在两者交界处就会构成一个薄层，这个薄层便是PN 结.如图14-2 (a) 所示。这个PN 结有一个很特别的功能，便是有单独向导电的才能。
假如将P 型半导体部分衔接至电源的正电极，N 型半导体部分衔接电源的负电极，这种衔接称为正向衔接，在电子技术中叫做正向偏置在正向偏置的条件下， N 区电压较P 区为负，它将招引P 区的大都载流子(空穴)，使之穿过PN 结流向N 区; P 区电压较N 区电压为正，也将招引N 区的大都载流子(电子)，使之穿过PN 区流向P 区;一起P 区少量载流子(电子)和N 区少量载流子(空穴)遭到排挤，不能穿过PN 结。两个区中的大都载流子向对方区的运动就构成了正向电流I， 如图14-2 (b) 所示。因为电流是由大都载流子构成的，所以PN 结表现出来的正向电阻很小。
若把半导体的P 区和N 区别离衔接电源的负极和正极，这时的衔接称为反向衔接，又称为反向偏置。在反向偏置的条件下，仅有少量载流子穿过PN 结构成反向电流，如图14-2(c)所示。因为少量载流子的数量很少.所能构成的电流很弱小，此刻PN 结表现出来的反向电阻将很大。
综上所述， PN 结的导电功能在正向、反向偏置下是不一样的，具有单向导电的功能。半导体二极管的根本作业原理便是以PN 结的单向导电性为根底的。
