欢迎回到DC/DC转换器数据表博客系列。在本系列最终一期文章中，我将评论DC/DC稳压器元件的传导损耗。
传导损耗是由设备寄生电阻阻止直流电流在DC/DC转换器中的传导发生的。传导损耗与占空比有直接关系。当集成上桥臂MOSFET翻开后，负载电流就会从其间经过。漏-源通道电阻(RDSON)发生的功率耗散可以用公式1表明：
其间D = 
= 占空比
关于LM2673这样的非同步设备，在集成MOSFET封闭时，二极管被正向偏置。在此期间，电感电流经过输出电容器、负载和正向偏置二极管下降。负载电流流过二极管发生的功率耗散可以用公式2表明：
其间VF是选定二极管的正向电压降。
除了集成MOSFET与钳位二极管中的传导损耗，电感器中也有传导损耗，由于每一个电感器都有有限的直流电阻(DCR)，即线圈中导线的电阻。公式3表明电感器中的功率耗散：
传导损耗取决于负载电流。负载增大时，MOSFET中的传导损耗会添加，并且是首要损耗要素。传导损耗及开关、驱动和内部低压差线性稳压器(LDO)的损耗会发生许多的热量，添加集成电路(IC)的结温。添加的结温可以用公式4表明：
其间ICTj是IC的结温，TA是环境温度，θJA是IC到空气的热阻，ICPd是IC中总功率耗散。
