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功率因数校对最佳战略:怎么选取适宜的MOSFET?

功率因数校正最佳策略:如何选取合适的MOSFET?-近年来,随着汽车、通信、能源、绿色工业等大量使用MOSFET的 行业的快速发展,功率MOSFET备受关注。

  导读:近年来,跟着轿车、通讯、动力、绿色工业等很多运用MOSFET的 职业的快速开展,功率MOSFET备受重视。MOSFET广泛运用在模仿电路与数字电路中,关于工业商场而言,较高的电流会添加体系中的能量损耗,举例对电力公司来说,这会导致输电过程中的过量糟蹋。而要到达完全相同的输出功率,功率因数较低的负载比功率因数较高的负载会耗费更多无功电流。所以,为功率因数校对运用,挑选适宜的MOSFET器材特别重要。

  功率因数是实践功率(P = 瓦特)与视在功率(VA= 伏安)之比;方针是完成尽或许挨近1的功率因数。要到达完全相同的输出功率,功率因数较低的负载比功率因数较高的负载会耗费更多无功电流。较高的电流会添加体系中的能量损耗,对电力公司来说,这会导致输电过程中的过量糟蹋。为此,关于输出功率为75 W或更高(根据EN61000-3-2规范)的任何电源,图1所示的功率要素校对 (PFC) 电路块都是一个重要而且常常是必不可少的子体系。PFC电路块用于使输入线电流与AC电压波形共同,且在大多数情况下将输出电压升高至规范的400 VDC。图2显现了PFC电路对线电流及其谐波电流的影响。

  

图1:PFC原理图

  

  图2A:无PFC情况下的线电压及电流 图2B:有PFC情况下的波形

  在图2A中,电流来自AC电源且只继续周期的较短时刻。这导致较低的功率因数和115%的过量谐波电流。尽管体系只耗费158 W可用功率,但传输体系的相关值需求到达272 VA才干供给这一功率。图2B显现了运用相同输入功率曲线来完成PFC的长处。在功率因数为99.9%的情况下,谐波电流降至3%。电流来自AC线路且继续整个周期,一起也没有过量的VA糟蹋。

  应当留意的是,PFC与谐波电流削减并非近义词。例如,在高电理性负载情况下,电流或许是滞后于电压的完美正弦曲线。因而其将具有较低的功率因数和高无功功率,且没有任何谐波电流。而谐波电流多的失真波形一般具有一切不良特性。PFC电路不只能够校对功率因数,还有助于削减谐波电流。现在,关于电子设备功率质量有许多不同的规范。EN61000-3-2要求一切输入功率》 75 W的体系削减谐波电流。80 Plus电源认证要求功率因数到达0.9或更高。

  在PFC电路中,MOSFET损耗约占总损耗的20%左右。经过挑选正确的器材,PFC功率能够得到大幅提高。为PFC电路挑选适宜MOSFET器材的一种办法是运用针对特定运用的品质因数 (FOM),来最小化器材的总损耗。尽管FOM包含针对传导损耗的导通电阻值(RDS(on)) 和针对开关损耗的栅极电荷值 (Qg),但其并非二者的简略积。为了阐明开关损耗,运用了该器材的Qgs和Qgd的一部分以及其输出电容值 (Coss)。

  规范AC/DC电源的四个级是:

  · 输入

  · PFC前端

  · 转换器

  · 次级

  本文选自本站网6月《智能工业特刊》Change The World栏目,转载请注明出处!
  

  为满意80 Plus“金级”功率规范的要求,一切级的兼并损耗是额外输出功率的约12%。单纯PFC MOSFET损耗应约束到总输出功率的约2%或封装功率限值,(以二者中的较低者为准)。“TO”封装的最大功率损耗限值为:

  · PowerPAK®SO-8L (5×6): 5W

  · PowerPAK®8×8: 7W

  · TO-220/TO-220F: 10 W

  · TO-247: 20W

  · Super TO-247/Tmax: 25W

  因而,由传导损耗和开关损耗构成的最大封装功率限值不该超越上述水平。传导损耗用公式I2*R来核算,其间考虑到了器材的RDS(on)以及其温度系数。开关损耗不只需求考虑Qg、Qgd和Qgs,还需求考虑Qoss,Qoss是Coss的积分函数。

  传统的FOM,即RDS(on)(典型值)*Qg(典型值)并不考虑器材的Coss/Qoss,但这是一个非常重要的损耗,特别是在开关损耗大于传导损耗的轻负载情况下。开关损耗的这一成分是在充电(当器材断电时)和放电(当器材通电时)情况下发生的,必需在规划中加以考虑。Coss/Qoss越大,开关损耗就越大。此外,Qoss损耗是固定的而且独立于负载,这一点可从规范公式Poss = ½ CV2 x Fsw中看出,其间Fsw是开关频率。

  在通用输入电源中,PFC MOSFET一直遭到380 VDC至400 VDC的主体 (bulk) DC总线电压的约束。因而,输出开关损耗有或许在总损耗中占相当大的份额。高压MOSFET (HVM)的Coss跟着所施加的VDS的不同而有相当大的改变。为阐明输出电容器的非线性,能够运用Poss = ½ Coer x V2 x Fsw作为损耗核算公式。Coer是由产品阐明书供给的有用%&&&&&%,与MOSFET的集成Coss具有相同的存储能量和相同的损耗。所以,新FOM现在为Rds(on)(典型值) * (Qswitch (典型值) + Qoss),其间Qswitch是Qgd和Qgs的组合。

  例如,咱们运用一个最大封装功率损耗为8 W且对传导损耗和开关损耗的奉献各为4 W的TO-220 / TO-220F器材。这样Coss/Qoss损耗将占到总封装损耗的约20%,或总开关损耗的约40%,这是规范FOM公式没有加以考虑的一个较大损耗。

  因为有许多可用封装选项,所以表1列出了针对不同封装的最大功率额外值。请留意,每种封装都有一系列器材可供选用,所以有或许对广泛的输出功率引荐相同的封装。为了完成SMT封装(如PowerPAK®SO-8L (5×6) 和PowerPAK®8×8)的最大或许功率耗散,有必要将PCB温度保持在最坏条件下的运用要求值。主张最大额外值因而遭到体系热考虑事项而非封装损耗的约束。

 
表1:各封装类型下的最大功率级

  本文选自本站网6月《智能工业特刊》Change The World栏目,转载请注明出处!

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