假如用一个词来描绘2016年的固态硬盘商场的话，那么闪存颗粒肯定是会被提及的一个要害热词。在曩昔的2016年里，围绕着闪存颗粒发生了一系列大事，包含闪存颗粒的量产引发固态提价，闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞赛，以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的好坏问题。、
那么，究竟什么是闪存颗？2D NAND和3D NAND之间又有哪些差异和联络？
闪存颗粒究竟是什么？
闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下仍旧可以保存现已写入的数据，并且是以固定的区块为单位，而不是以单个的字节为单位。
依据用处和标准不同，闪存颗粒有许多不同的变种，今日咱们首要评论的是用于固态硬盘等存储设备中的、最为常用的NAND闪存颗粒。
NAND闪存颗粒，是闪存宗族的一员，最早由日立公司于1989年研发并推向商场，因为NAND闪存颗粒有着功耗更低、价格更低和功能更佳等许多长处，成为了存储职业最为重要的存储质料。
依据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）以及TLC（三层存储单元），此三种存储单元在寿数以及造价上有着显着的差异。
在这里咱们就不再展开评论了。
2D和3D闪存之间的差异和联络
在解说3D NAND之前，咱们先得弄清楚2D NAND是什么，以及“2D”和“3D”的实在意义。
首先是2D NAND，咱们知道在数学和物理范畴，2D/3D都是指的方向，都是指的坐标轴，“2D”指的是平面上的长和宽，而“3D”则是在“2D”基础上，添加了一个笔直方向的“高”的概念。
由此，2D NAND实在的意义其实便是一种颗粒在单die内部的摆放方法，是依照传统二维平面形式进行摆放闪存颗粒的。
相对应的，3D NAND则是在二维平面基础上，在笔直方向也进行颗粒的摆放，行将本来平面的堆叠方法，进行了立异。
使用新的技能（即3D NAND技能）使得颗粒可以进行立体式的堆叠，然后处理了因为晶圆物理极限而无法进一步扩展单die可用容量的约束，在相同体积巨细的情况下，极大的提升了闪存颗粒单die的容量体积，进一步推动了存储颗粒整体容量的飙升。
一起，在业界，依据在笔直方向堆叠的颗粒层数不同，和选用的颗粒品种不同，3D NAND颗粒又可以分为32层、48层乃至64层 3D TLC/MLC颗粒的不同产品，这取决于各大原厂厂商的技能储备和实践选用的颗粒品种。
咱们可以打个比如，来了解2D NAND和3D NAND技艺之间的差异和联络。
2D NAND就如同在一块有限的平面上树立的数间平房，这些平房规整摆放，可是跟着需求量的不断添加，平房的数量不断井喷，可终究这块面积有限的平面只能包容必定数量的平房而无法持续添加；
3D NAND则就如同在同一块平面上盖起的高楼，在相同的平面中，高楼的容积率却远远高于平房，因此它能供给更多的空间，也便是供给了更大的存储空间，而32层、48层以及64层，则便是这些高楼的高度，总共堆叠了多少层。
尽管，3D NAND技能可以在平等体积下，供给更多的存储空间，可是这项堆叠技能关于原厂制造商来说有着适当的操作难度，需求原厂有着适当的技能堆集，因此现在可以把握3D NAND技能的原厂公司非常罕见，只要三星、美光等少量公司的3D NAND颗粒完成了量产和面世。
