期相改变内存(PCMorPRAM)商场战况炽热，继三星电子(SamsungElectronics) 宣告将相改变内存用在智能型手机(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片面世后，恒忆(Numonyx)也宣告推出针对PC、消费性电子和通讯商场运用的相改变内存新品牌Omneo，选用90奈米制程，容量达128Mb，跟着世界大厂连续发起攻势，让本来冷门的相改变内存商场一夕之间热了起来!
全球相改变内存分为3大阵营，包括恒忆/英特尔(Intel)、三星、旺宏/IBM，三星日前推出主攻智能型手机MCP运用的PRAM，以及恒忆的PCM产品等，尽管PRAM、PCM等产品的称号相异，但归于相改变内存技能。
相较于三星宣告相改变内存新产品在初期要瞄准手机MCP商场，恒忆则是建立全新的品牌Omneo，特别为需求量身订做的客户来服务，运用规模不局限于手机，包括有线及无线通信、消费电子产品、PC和嵌入式运用产品等。
恒忆不光看好相改变内存是1988年闪存面世以来，下一代接棒的新内存明日之星，也以为这次推出的新PCM产品可较现有的闪存写入速度快300倍，并可一起支撑序列式闪存(SerialNORFlash)和并列式闪存(Pa!rallelNORFlash)界面。
恒忆的第1款PCM产品是在2008年12月推出，支撑10万次的耐写次数，这次推出的第2款新产品是选用90奈米制程出产，容量可达128Mb，耐写次数更提高到100万次，现在恒忆的Omneo品牌产品已很多供货。
恒忆副总裁暨嵌入式业务部总经理GlenHawk则表明，现在规划工程师有必要运用不同类型的内存以进行编码贮存、履行以及数据贮存运用，新PCM产品可让规划进程更简单化。
相改变内存是现在各种下代代内存中，最被看好的一种，一起也因英特尔、三星等大厂力推，2010年开端逐步导入终端运用，此款内存的资料是锗硒锑GST，兼具DRAM和NANDFlash内存的优缺点，尽管2010年开端用于终端商场，但安稳=仍需进一步调查。
此外，美光(Micron)正式完结与恒忆的购并程序后，也顺势参加下代代内存技能大战，在美光取得相改变内存技能后，可增加美光在消费性电子、手机等运用上内存的研制实力。
