HMC815B相关信息来自ADI官网，详细参数以官网发布为准,HMC815B供给信息可在查IC网查找相关供给商。
产品概况
HMC815B是一款紧凑的砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)上变频器，选用契合RoHS规范的封装，作业频率规模为21 GHz至27 GHz。该器材供给12 dB的小信号转化增益和20 dBc的边带按捺功能。HMC815B选用驱动放大器作业，前接由有源2×乘法器驱动LO的同相正交(I/Q)混频器。还供给IF1和IF2混频器输入，需经过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了搅扰边带滤波要求。
HMC815B为混合型单边带(SSB)下变频器的小型代替器材，它无需线焊，能够运用表贴制作技能。
HMC815B供给4.90 mm × 4.90 mm、32引脚LCC陶瓷封装，作业温度规模为−40°C至+85°C。如有需求，还可供给HMC815B评价板。
使用
- 点到点及点到多点无线电
- 军用雷达、电子战和电子情报
- 卫星通信
- 传感器
优势和特色
- 转化增益：12 dB（典型值）
- 边带按捺：20 dBc（典型值）
- OP1dB紧缩：20 dBm（典型值）
- OIP3：27 dBm（典型值）
- 2× LO至RF阻隔：10 dB（典型值）
- 2× LO至IF阻隔：15 dB（典型值）
- RF回波损耗：12 dB（典型值）
- LO回波损耗：15 dB（典型值）
HMC815B电路图
HMC815B中文PDF下载地址
HMC815B下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/hmc815b.pdf
声明：本文内容来自网络转载或用户投稿，文章版权归原作者和原出处所有。文中观点，不代表本站立场。若有侵权请联系本站删除（kf@86ic.com）https://www.86ic.net/bandaoti/zhizao/42180.html
