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产品概况
ADMV1012 是一款选用紧凑的砷化镓(GaAs)规划、单芯片微波集成电路(MMIC)双边带(DSB)下变频器，选用契合RoHS规范的封装，针对输入频率规模为17.5 GHz至24 GHz的点对点微波无线电规划进行优化。
ADMV1012供给15 dB的转化增益、25 dB的镜像按捺功能和2.5 dB噪声指数。ADMV1012选用射频(RF)低噪声放大器(LNA)，后接由驱动放大器驱动集成×2乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器。它具有IF1和IF2正交混频器输出，所需外部90°混合型器材用于挑选所需边带。
I/Q 混频器拓扑结构则降低了搅扰边带滤波要求。ADMV1012为混合型DSB下变频器的小型代替器材，无需线焊，能够运用表贴制作安装。
ADMV1012 下变频器选用紧凑的散热增强型、4.9 mm × 4.9 mm、32引脚LCC封装。ADMV1012工作温度规模为−40°C至+85°C。
使用
- 点对点微波无线电
- 雷达和电子战体系
- 仪器仪表、自动测试设备 (ATE)
- 卫星通信
优势和特色
- RF 输入频率规模：17.5 GHz 至 24 GHz
- IF 输出频率规模：2.5 GHz 至 3.5 GHz
- LO 输入频率规模：7 GHz 至 13.5 GHz
- 转化增益（混合器材）：15 dB（典型值）
- SSB 噪声指数：2.5 dB（典型值）
- 输入 IP3：3 dBm（典型值）
- 输入 P1dB：−5 dBm（典型值）
- 20 dB 镜频按捺
- 单端 50 Ω RF 和 LO 输入端口
- 暴露焊盘、4.9 mm × 4.9 mm、32引脚LCC封装
ADMV1012电路图
ADMV1012中文PDF下载地址
ADMV1012下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/admv1012.pdf
