本文预备谈谈CRES-Contact Resistance， 触摸电的相关技能。
触摸电阻的方法可分为三类：点触摸、线触摸和面触摸。触摸方法对缩短电阻Ｒｓ的影响首要表现在触摸点的数目上。一般情况下，面触摸的触摸点数ｎ最大而Ｒｓ最小；点触摸则ｎ最小，Ｒｓ最大；线触摸则介于两者之间。
之前在做CP项目时，总是发现一些对电压/电流值灵敏的测验项yield loss比预期的高，比方VOH， VOL和Vddmin的丈量等等。手动扎到这些die上，有时分直接就pass了，有时分尽管没有一跑就pass，可是略微添加over drive，也是能够pass的。其时跟产线PE评论，究竟是什么影响了测验成果？PE给的答复是“触摸电阻”。
Cres发生在两个触摸的物体之间，会导致电或热的损耗添加。
Cres首要由2部分组成：
metallic contact，金属触摸，也称作locallized physical mechanisms
film resistance，薄膜电阻，也称作non-conducTIve contribuTIon
current flow仅能从中心金属触摸的部分经过。
在量产测验时，probe needle每次touch down的时分，都会刮擦die pad，在摩擦力和电磁场的效果下，会有一些沾污。由于非导电资料（例如：碎片、残渣和氧化等）的堆集，量产中的Cres改变，首要是由film resistance导致的。
其他影响Cres的原因还有：
针尖的形状改变导致的实践触摸面积的改变。（实践触摸面积与针尖形状、压力、和外表处理有关）
针尖的外表平整度改变，导致的触摸面积的改变。（越润滑的外表，触摸面积越大，Cres越低。越粗糙的外表，越易沾污。）
CP测验的温度影响氧化进程，以及碎片的构成。
假如任由Cres上升而不采纳方法，会导致良率的显着下降。ref［1］
所以在量产进程中，往往会进行定时的needle clean来确保良率。
ref［1］
那么Cres究竟是怎样影响测验成果的呢？之前我刚好抓了张波形图，这儿给咱们参阅。第一张图是没有清针的时分画出来的波形图
没有清针的波形图，能够看到电压不稳定
下面这张是清针后的波形图：
清针后的波形图，能够看到波形规整了许多
我想，经过上面4张图，咱们能够明晰地感受到，Cres关于CP测验看得到的巨大影响了。
这儿再谈谈清针。清针尽管能够帮咱们把良率救回来，可是也有一些问题。
前期的清针方法，往往是用磨针的方法。把针尖上的沾污磨掉。但这样也会把针尖越磨越短，这样实践触摸的点的面积就会越来越大。当probe mark的面积大过必定规模时，会导致封装的可行性和可靠性变差。而在offline maintenance的时分，有时分会用溶液etch针尖，当把针尖etch得太细的时分，会导致touch down时，部分压强过大，可能会刺穿Al pad，损坏下方的电路。
ref［2］ Probe Mark的面积与封装失效（lift ball 起球）的对应联系
ref［3］ Touch down关于pad下面的电路的影响
现在常用的方法是，Semi-abrasive“半研磨”性的清针和抛光。把针尖在类似于胶带的资料上扎一下，把沾污粘下来的方法。这样能够把对针尖的磨损下降，延伸probe card的使用寿数。
ref［3］
在CP测验厂，通常会依据probe card和产品的特性，界说一个cleaning recipe。简略来说便是测几百颗，清一次针这样的。可是其实任何清针方法，都会对针尖形成损害。
作为一个测验工程师，其实是有方法帮忙测验厂，改善清针流程的。把准时清针，变成按需清针。
由于清针的意图，便是为了下降Cres。而Cres是能够经过ATE测出来的。这样只需Cres仍然在咱们要求的规模内，就能够不必清针，持续测验。咱们能够用测Open/Short的方法，给pad加电流，测电压。去掉二极管的管压降，即可得到触摸电阻。
假如量产时能够经过监控触摸电阻来按需清针，则能够进一步地延伸probe card的寿数。
