场效应管扩大电路
对应三极管的共射、共集及共基扩大电路，场效应管扩大电路也有共源、共漏和共栅三种根本组态。下面以JFET组成的共源极扩大电路为例，介绍场效应管扩大电路的作业原理。
1.自偏压电路
自偏压电路如图3-10所示。在图中，场效应管栅极经过栅极电阻RG接地，源极经过源极电阻RS接地。这种偏置方法运用JFET（或耗尽型MOS管）在栅源电压uGS=0时，漏极电流iD≠0的特色，以漏极电流在源极电阻RS上的直流压降，给栅源之间供应反向偏置电压。也就是说，在静态时，源极电位uS=iDRS，因为栅极电流为0，RG上没有压降，栅极电位uG=0，所以栅源之间的偏置电压为
uGS=uG-uS=-iDRS
要阐明的是，自偏压方法不能用于由增强型MOS管组成的扩大电路。因为增强型MOS管
只有当uGS到达UT时才有iD发生。
关于图3-10电路的静态作业点，能够运用式（3-1）和式（3-3）求联立方程，即
ID=IDSS（1-UGS/UP）2（3-4
）UGS=-IDRS（3-5）
求得ID和UGS之后，则有
UDS=VDD-ID（RD+RS）（3-6）
例3-1电路如图3-10所示，已知IDSS=0.5mA，UP=-1V，试确认电路的静态作业点。
解：依据上面剖析得到的公式有
ID=0.5（1+UGS）2
UGS=-2ID
将UGS表达式代入ID表达式中，得
ID=0.5（1-2ID）2
解方程得
ID=（0.75±0.56）mA
而IDSS=0.5mA，ID不该大于IDSS，所以
IDQ=0.19mA
UGSQ=0.38V
UDSQ=11.9
2.分压式自偏压电路
尽管自偏压电路比较简单，可是当静态作业点确认后，uGS和iD就确认了，因而RS挑选的规模很小。分压式自偏压电路是在图3-10电路的基础上加接分压电阻后组成的，如图3-11所示。漏极电源VDD经分压电阻RG1和RG2分压后，经过RG3供应栅极电压，uG=RG2VDD/（RG1+RG2）;一起漏极电流在源极电阻RS上也发生压降，uS=iDRS。因而，静态时加在JFET上的栅源电压为
uGS=uG-u
=VDDRG2/（RG1+RG2）-iDRS（3-7）
相同可依据式（3-1）和（3-7）求联立方程，即
ID=IDSS（1-UGS/UP）2
UGS=VDDRG2/（RG1+RG2）-IDRS
然后求出ID和UGS，并求出
UDS=VDD-ID（RD+RS）
得出电路的静态作业点。
3、场效应管扩大电路的动态剖析
图3-10自偏压电路能够用图3-12的沟通等效电路来标明，图中RL为扩大电路外加的负载电阻。从图中不难求出电压扩大倍数Au、Ri和Ro三个性能参数。
1.电压扩大倍数Au
由图3-12可得出
Au=uo/ui=（-idR′L）/ugs=-（gmugsR′L）/ugs
即
Au=-gmR′L（3-8）
其间，R′L=RD∥RL。
式（3-8）标明，JFET共源扩大电路的电压扩大倍数Au与跨导gm成正比，且输出电压与输入电压反相。
2.输入电阻Ri和输出电阻Ro
由图3-12可得
Ri≈RG（3-9）
Ro≈RD（3-10）
可见，共源扩大电路的输入电阻Ri主要由偏置电阻RG决议，而输出电阻Ro则由漏极电阻RD决议。
场效应管扩大电路的优缺陷
长处
（1）输入电阻大。用一般三极管做成扩大电路，共射电路的输入电阻约几KΩ，（咱们一般称之为10^3级），共集电极电路的输入电阻也只能做到几十K欧到一百多K欧（10^5级），而运用结型场效应管（JFET）就可做到输入电阻10^6级，运用MOS管能做到10^8级以上。
（2）温度稳定性好，因为场效应管里没有漂移电流，根本不受温度改变的影响。
缺陷：
（1）扩大倍数小，一级扩大只能做到几倍（或许不到10倍），（2）输入端因为静电感应简单发生击穿。
