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瞬态电压按捺二极管的结构及特性

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瞬态电压抑制二极管通常采用二极管式的轴向引线封装,如图所示。它的最基本核心单元为芯片,芯片是由半导体硅材料扩散而制成

瞬态电压按捺二极管的结构及特性


瞬态电压按捺二极管一般选用二极管式的轴向引线封装,如图所示。它的最基本中心单元为芯片,芯片是由半导体硅资料分散而制成的,芯片有单极型和双极型两种结构。


 


单极型瞬态二极管有一个PN结; 双极型瞬态二极管有两个PN结,它们是使用现代半导体制造工艺在同一硅片的正反两个面上制造出的两个背对背的PN结。瞬态电压按捺二极管芯片的PN结经过玻璃纯化维护由引线引出,再由改性环氧树脂封装而成。


 


上图给出了瞬态电压按捺二极管的伏安特性曲线。图(a)所示为单极型瞬态电压按捺二极管的伏安特性曲线,从图中能够看出,其正向特性与一般二极管相同,反向特性为曲型的PN结雪崩击穿特性。在瞬态脉冲电压效果下,流过瞬态电压按捺二极管的电流,由本来的反向漏电流ID上升到击穿电流IR,其两头电压则由反向关断电压VMN上升到击穿电压VBR,此刻瞬态电压按捺二极管反向击穿。跟着峰值脉冲电流的增大,经过的电流当即到达峰值脉冲电流IPP,但瞬态电压按捺二极管两头的电压被钳坐落最大钳位电压Vc,Vc又名二极管的最大按捺电压。二极管从零到最小击穿电压VBR的时刻叫锚位时刻tc。单极型瞬态电压按捺二极管的钳位时刻tc<lns,双极型瞬态电压按捺二极管的钳位时刻tc<10×S依据上述特性,瞬态电压按捺二极管在电路中有浪涌电压发生时,可将高压脉冲约束在安全范围内,而使瞬间大电流旁路,起到对电路过压维护的效果。双极型瞬态电压按捺二极管的伏安特性曲线是对称的,它可用于双向过压维护。


瞬态电压按捺二极管当遭到瞬态高压脉冲浪涌电压冲击时,它能以(10负十二次方)量级的呼应速度由高阻关断状况跃变为低阻导通状况,可吸收高达数千瓦的浪涌功率,将电压钳位(按捺)在一个预订值。应指出的是,瞬态电压按捺二极管的最大峰值脉冲功率Pm是在规则的脉冲波形及持续时刻下给出的。实验时,脉冲重复率规则为0·01%。因而,瞬态电压按捺二极管只能接受不接连的瞬态脉冲,假如电路中呈现接连的高压脉冲,脉冲功率的堆集有或许导致其损坏。


瞬态电压按捺二极管具有体积小、峰值功率大、抗浪涌电压能力强、击穿电压特性曲线好、齐纳阻抗低、反向漏电流小以及呼应时刻快的特色,适合在恶劣环境条件下作业,是现在比较抱负的防雷击、防静电、防过压和抗干扰的维护器材之一。

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