整流二极管（recTIfier diode）一种用于将沟通电转变为直流电的半导体器材。二极管最重要的特性便是单独导游电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。一般它包括一个PN结，有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴，N区的载流子是电子，在P区和N区间构成必定的位垒。
外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒下降，位垒两边邻近产生贮存载流子，能经过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V），称为正导游通状况。若加相反的电压，使位垒添加，可接受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状况。整流二极管具有显着的单导游电性。整流二极管可用半导体锗或硅等资料制作。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温功能杰出。一般高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制作（掺杂较多时简单反向击穿）。这种器材的结面积较大，能经过较大电流（可达上千安），但作业频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管首要用于各种低频半波整流电路，如需到达全波整流需连成整流桥运用。
整流二极管损坏后，能够用同类型的整流二极管或参数相同其它类型整流二极管代换。
一般，高耐压值（反向电压）的整流二极管能够代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管能够代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。
常用整流二极管类型
整流二极管是一种能够将沟通电能转化成为直流电能的半导体器材，整流二极管具有显着的单导游电性，是一种大面积的功率器材，结电容大，作业频率较低，一般在几十千赫兹，反向电压从25V到3000V.
硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温功能杰出，一般高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制作，这种器材结面积大，能经过较大电流（一般能够到达数千安），但作业频率不高，一般在几十千赫兹以下，整流二极管首要用于各种低频整流电路。
整流二极管的选用
整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。 选用整流二极管时，首要应考虑其最大整流电流、最大反向作业电流、截止频率及反向康复时间等参数。
一般串联稳压电源电路中运用的整流二极管，对截止频率的反向康复时间要求不高，只需依据电路的要求挑选最大整流电流和最大反向作业电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。 开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中运用的整流二极管，应选用作业频率较高、反向康复时间较短的整流二极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或挑选快康复二极管。
整流二极管的常用参数
（1）最大均匀整流电流IF：指二极管长时间作业时答应经过的最大正向均匀电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决议。运用时应留意经过二极管的均匀电流不能大于此值，并要满意散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。
（2）最高反向作业电压VR：指二极管两头答应施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流（IR）剧增，二极管的单导游电性被损坏，然后引起反向击穿。一般取反向击穿电压（VB）的一半作为（VR）。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV
（3）最大反向电流IR：它是二极管在最高反向作业电压下答应流过的反向电流，此参数反映了二极管单导游电功能的好坏。因而这个电流值越小，标明二极管质量越好。
（4）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧曲折点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。
（5）最高作业频率fm：它是二极管在正常情况下的最高作业频率。首要由PN结的结电容及扩散电容决议，若作业频率超越fm，则二极管的单导游电功能将不能很好地表现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。
（6）反向康复时间tre：指在规则的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向康复时间。
（7）零偏压电容CO：指二极管两头电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得留意的是，因为制作工艺的约束，即便同一类型的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个规模，若测验条件改动，则相应的参数也会产生改变，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。
整流管损坏的原因
（1）防雷、过电压维护措施不力。整流设备末设置防雷、过电压维护设备，即便设置了防雷、过电压维护设备，但其作业不可靠，因雷击或过电压而损坏整流管。
（2）运转条件恶劣。直接传动的发电机组，因转速之比的核算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求，使发电机长时间处于高转速下运转，而整流管也就长时间处于较高的电压下作业，促进整流管加快老化，并被过早地击穿损坏。
（3）运转办理欠佳。值勤运转人员作业不负责任，对外界负荷的改变（特别是在深夜零点至第二天上午6点之间）不了解，或是当外界产生了甩负荷毛病，运转人员没有及时进行相应的操作处理，产生过电压而将整流管击穿损坏。
（4）设备装置或制作质量不过关。因为发电机组长时间处于较大的振荡之中运转，使整流管也处于这一振荡的外力搅扰之下；一起因为发电机组转速时高时低，使整流管接受的作业电压也随之忽高忽低地改变，这样便大大地加快了整流管的老化、损坏。
（5）整流管规格类型不符。更换新整流管时错将作业参数不符合要求的管子换上或许接线过错，形成整流管击穿损坏。
（6）整流管安全裕量偏小。整流管的过电压、过电流安全裕量偏小，使整流管接受不起发电机励磁回路中产生的过电压或过电流暂态过程峰值的突击而损坏。
对整流管的查看办法
首先将整流器中的整流二极管悉数拆下，用万用表的100&TImes;R或1000&TImes;R欧姆档，丈量整流二极管的两根引出线（头、尾对调各测一次）。若两次测得的电阻值相差很大，例如电阻值大的高达几拾万Ω、而电阻值小的仅几佰Ω乃至更小，阐明该二极管是好的（产生了软击穿的二极管在外）。若两次测得的电阻值简直持平，并且电阻值很小，阐明该二极管已被击穿损坏不能运用。
极管类型：4148装置方法：贴片功率特性：大功率
二极管类型：SA5.0A/CA-SA170A/CA装置方法：直插
二极管类型：IN4007/IN4001装置方法：直插功率特性：小功率频率特性：低频
二极管类型：70HF80装置方法：螺丝型功率特性：大功率频率特性：高频
二极管类型：MRA4003T3G装置方法：贴片
二极管类型：1SS355装置方法：贴片功率特性：大功率
二极管类型6A10装置方法：直插功率特性：大功率;类型：2DHG型装置方法：直插功率特性：大功率
二极管类型B5G090L装置方法：直插功率特性：小功率频率特性：超高频
05Z6.2Y硅稳压二极管Vz=6~6.35V，Pzm=500mW，
05Z7.5Y硅稳压二极管Vz=7.34~7.70V，Pzm=500mW，
05Z13X硅稳压二极管Vz=12.4~13.1V，Pzm=500mW，
05Z15Y硅稳压二极管Vz=14.4~15.15V，Pzm=500mW，
05Z18Y硅稳压二极管Vz=17.55~18.45V，Pzm=500mW，
1N4001硅整流二极管50V， 1A，（Ir=5uA，Vf=1V，Ifs=50A）
1N4002硅整流二极管100V， 1A，
1N4003硅整流二极管200V， 1A，
1N4004硅整流二极管400V， 1A，
1N4005硅整流二极管600V， 1A，
1N4006硅整流二极管800V， 1A，
1N4007硅整流二极管1000V， 1A，
1N4148二极管75V， 4PF，Ir=25nA，Vf=1V，
1N5391硅整流二极管50V， 1.5A，（Ir=10uA，Vf=1.4V，Ifs=50A）
1N5392硅整流二极管100V，1.5A，
1N5393硅整流二极管200V，1.5A，
1N5394硅整流二极管300V，1.5A，
1N5395硅整流二极管400V，1.5A，
1N5396硅整流二极管500V，1.5A，
1N5397硅整流二极管600V，1.5A，
1N5398硅整流二极管800V，1.5A，
1N5399硅整流二极管1000V，1.5A，
1N5400硅整流二极管 50V， 3A，（Ir=5uA，Vf=1V，Ifs=150A）
1N5401硅整流二极管100V，3A，
1N5402硅整流二极管200V，3A，
1N5403硅整流二极管300V，3A，
1N5404硅整流二极管400V，3A，
1N5405硅整流二极管500V，3A，
1N5406硅整流二极管600V，3A，
1N5407硅整流二极管800V，3A，
1N5408硅整流二极管1000V，3A
