存储器组规划和操控
S3C44B0X 有6组ROM/SRAM(ROM0 组为Boot ROM)和2组ROM/SRAM/FP/EDO/SDRAM.S3C44B0X 中的体系管理能够经过S/W 操控每组的拜访时刻、数据总线宽度，ROM/SRAM 组的拜访时刻和 FP / EDO / SDRAM 组被体系管理寄存器中的BANKCON0-7和BANKCON6-7操控。组6-7的类型需求相同。（例如ROM&ROM，SDRAM&SDRAM）每组ROM/SRAM/DRAM的数据宽度受BWSCON 操控寄存器操控。
ROM 组0用于Boot ROM 组，因而组0受H/W操控，OM[1:0]用于这个意图的。
当体系复位时，经过专用的指令，LDMIA和STMIA 对 BWSCON,BANKCON0-7,BANKSIZE, MRSRB6/7施行操控。例如下面代码用来装备特别功用寄存器。特别功用寄存器装备代码：
ROM/SRAM组的规划
ROM/SRAM 组1-7，能够有着不同的数据总线宽度，总线宽度是受 S/W 操控的，一个 ROM/SRAM 组1-7 的规划样例如图 4-6，图 4-7，图 4-8 和图 4-9 所示。
图 4-6.单字节 EEPROM/SRAM Banks 规划
图 4-7.半字 EEPROM/SRAM 组规划
