上海，2012年10月16日 –富士通半导体(上海)有限公司今天宣告，推出其V系列的又一款新产品MB85RC256V。至今停止，富士通V系列FRAM产品现已涵盖了4Kbit，16Kbit，64Kbit，256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V电压规模内作业的FRAM产品，为当今对元器件电压规模要求高的范畴供给了规划的便利。作为全球抢先的非易失性铁电随机存取存储器FRAM供货商，富士通后续还将依据市场需求推出更大容量的产品。
FRAM产品结合了ROM的非易性数据存储功能和RAM的优势，具有简直无限次的读写次数、高速读写周期和低功耗特色。富士通FRAM产品线具有多种接口和容量，包含工业规范的串行和并行接口;富士通FRAM产品具有了高速读写，高耐久性，低功耗三大特色,使其不同于其他非易失性存储器。FRAM产品广泛的应用于仪器仪表，工业操控，轿车电子，金融POS等各种先进范畴，关于这些范畴来说FRAM的高速读写，高耐久性，低功耗等特性非常重要。
凭仗公司内部一体化的开发和制作流程，富士通半导体能够愈加优化规划和工厂间的密切合作，这为富士通向客户安稳的供给高质量产品打下了根底。
富士通FRAM现有产品列表
MB85RC256V重要参数
•256Kb 存储容量，选用32kx 8位结构
•1012次的读写次数
•数据保存10年(+85°C)
•2.7V-5.5V作业电压规模
串行外设接口-I2C
•4.5V-5.5V,作业频率达1MHz
•2.7V-4.5V,作业频率达400KHz
温度及封装装备
•-40°C至 +85°C的工业温度规模
•支撑3.9mmx5.05mm和5.30mmx5.24mm两种尺度的SOP-8封装
供货时刻
从2012年8月中旬起供给样品,2012年10月中旬起能够承受批量订购。
