介绍SDRAM电路设计之前先了解下SDRAM的寻址原理。SDRAM内部是一个存储阵列，能够把它幻想成一个表格，和表格的检索原理相同，先指定行，再指定列，就能够精确找到所需求的存储单元，这是内存芯片寻址的根本原理，这个表格称为逻辑Bank。因为技能、本钱等原因，不可能只做一个全容量的Bank，并且因为SDRAM作业原理约束，单一的Bank会形成十分严峻的寻址抵触，大幅下降内存功率，所以在SDRAM内部分割成多个Bank，现在的SDRAM根本都是4个Bank。
图2是S3C2440A手册供给的SDRAM bank地址的装备计划，保护体系运用的SDRAM是HY57V561620FTP-H，它的标准是4*4M*16bit(运用两片是为了装备成32位的总线宽度)，BANK巨细是4M*16=64MB，总线宽度是32位，器材巨细是4*BANK巨细=256Mb，寄存器装备便是(4M*16*4B)*2，依据图2可知，SDRAM上的BANK地址引脚BA[1:0]与S3C2440的A相连。
图3是寄存器操控地址总线衔接方法，咱们运用2片SDRAM装备成32位的总线宽度，所以SDRAM上的A[12:0]接到S3C2440的A[14:2]引脚。详细的SDRAM电路衔接如图4所示：
SDRAM的地址引脚是复用的，在读写SDRAM存储单元时，操作过程是将读写地址分两次输入到芯片中，每一次由同一组地址线送入，两次送入到芯片上去的地址别离称为行地址和列地址，它们被锁存到芯片内部的行地址锁存器和列地址锁存器。
